半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
7期
658-660
,共3页
赝配高电子迁移率晶体管器件%开态击穿%负载牵引%介质栅%双场板
贗配高電子遷移率晶體管器件%開態擊穿%負載牽引%介質柵%雙場闆
안배고전자천이솔정체관기건%개태격천%부재견인%개질책%쌍장판
为提高PHEMT性能,从改进PHEMT结构出发,采用介质栅器件结构,研制了0.25 μm介质栅PHEMT器件,并与Win公司生产的0.25 μm非介质栅器件的频率特性、开态击穿和功率特性进行了比较.介质栅器件选用了合适的栅凹槽的宽度和掺杂浓度,提高了开态击穿电压.这意味着可以在更高的电压下稳定的工作而不被烧毁.0.25 μm介质栅器件的截止频率达到19 GHz,开态击穿电压超过11 v,功率密度超过1 W/mm,表现出了较非介质栅器件更为优异的功率性能.最后分析了介质栅器件的优势和有待改进的方向,优化器件栅凹槽形貌,调整栅帽下面介质的厚度,使用双场板结构等可以进一步提升器件性能.
為提高PHEMT性能,從改進PHEMT結構齣髮,採用介質柵器件結構,研製瞭0.25 μm介質柵PHEMT器件,併與Win公司生產的0.25 μm非介質柵器件的頻率特性、開態擊穿和功率特性進行瞭比較.介質柵器件選用瞭閤適的柵凹槽的寬度和摻雜濃度,提高瞭開態擊穿電壓.這意味著可以在更高的電壓下穩定的工作而不被燒燬.0.25 μm介質柵器件的截止頻率達到19 GHz,開態擊穿電壓超過11 v,功率密度超過1 W/mm,錶現齣瞭較非介質柵器件更為優異的功率性能.最後分析瞭介質柵器件的優勢和有待改進的方嚮,優化器件柵凹槽形貌,調整柵帽下麵介質的厚度,使用雙場闆結構等可以進一步提升器件性能.
위제고PHEMT성능,종개진PHEMT결구출발,채용개질책기건결구,연제료0.25 μm개질책PHEMT기건,병여Win공사생산적0.25 μm비개질책기건적빈솔특성、개태격천화공솔특성진행료비교.개질책기건선용료합괄적책요조적관도화참잡농도,제고료개태격천전압.저의미착가이재경고적전압하은정적공작이불피소훼.0.25 μm개질책기건적절지빈솔체도19 GHz,개태격천전압초과11 v,공솔밀도초과1 W/mm,표현출료교비개질책기건경위우이적공솔성능.최후분석료개질책기건적우세화유대개진적방향,우화기건책요조형모,조정책모하면개질적후도,사용쌍장판결구등가이진일보제승기건성능.
