稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2009年
3期
343-347
,共5页
杨福华%谭劲%周成冈%凌芝
楊福華%譚勁%週成岡%凌芝
양복화%담경%주성강%릉지
Si1-xGex%合金%从头计算法%W缺陷%碳相关缺陷
Si1-xGex%閤金%從頭計算法%W缺陷%碳相關缺陷
Si1-xGex%합금%종두계산법%W결함%탄상관결함
采用从头计算(ab initio)的方法对比研究了Si1-xGex合金半导体材料中W缺陷、CiCs缺陷和CiOi缺陷的性质.在S1-xGex合金中,Ge原子不能与缺陷核心的C原子和O原子直接成键,但可能与W缺陷核心的间隙Si原子相连.在含CiOi缺陷的晶胞中,Ge原子倾向于取代沿[110]伸长方向的Si原子.随着合金中Ge含量的升高,W缺陷的形成能不断增加,结构稳定性逐渐降低.与w缺陷不同的是,CiCs缺陷和CiOi缺陷在不同Ge含量的Si1-xGex合金中形成能变化较小,变化幅度在0.15 eV以内,理论研究结果与前人的实验结果相吻合.
採用從頭計算(ab initio)的方法對比研究瞭Si1-xGex閤金半導體材料中W缺陷、CiCs缺陷和CiOi缺陷的性質.在S1-xGex閤金中,Ge原子不能與缺陷覈心的C原子和O原子直接成鍵,但可能與W缺陷覈心的間隙Si原子相連.在含CiOi缺陷的晶胞中,Ge原子傾嚮于取代沿[110]伸長方嚮的Si原子.隨著閤金中Ge含量的升高,W缺陷的形成能不斷增加,結構穩定性逐漸降低.與w缺陷不同的是,CiCs缺陷和CiOi缺陷在不同Ge含量的Si1-xGex閤金中形成能變化較小,變化幅度在0.15 eV以內,理論研究結果與前人的實驗結果相吻閤.
채용종두계산(ab initio)적방법대비연구료Si1-xGex합금반도체재료중W결함、CiCs결함화CiOi결함적성질.재S1-xGex합금중,Ge원자불능여결함핵심적C원자화O원자직접성건,단가능여W결함핵심적간극Si원자상련.재함CiOi결함적정포중,Ge원자경향우취대연[110]신장방향적Si원자.수착합금중Ge함량적승고,W결함적형성능불단증가,결구은정성축점강저.여w결함불동적시,CiCs결함화CiOi결함재불동Ge함량적Si1-xGex합금중형성능변화교소,변화폭도재0.15 eV이내,이론연구결과여전인적실험결과상문합.
