人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
2期
459-464
,共6页
任书霞%籍凤秋%王建雷%张光磊
任書霞%籍鳳鞦%王建雷%張光磊
임서하%적봉추%왕건뢰%장광뢰
BN/Si复合团簇结构%一步法%PL光谱
BN/Si複閤糰簇結構%一步法%PL光譜
BN/Si복합단족결구%일보법%PL광보
以球磨的B/BN混合物为原料,采用一步法在蘸有催化剂的硅片上合成了大量BN纳米刺包裹在Si纳米或微米线上的复合团簇结构.EDS和SAED表明外层的纳米刺是六方BN多晶,里面包裹的Si纳米或微米线则是立方的Si单晶.实验结果表明合成温度对BN/Si复合结构形成有重要影响,只有在1250 ℃以上的温度才会生成BN /Si复合团簇结构,另外只有当硅片与样品接触时才会形成复合产物.PL光谱显示复合产物在360 nm的激发下,其发光峰在303 nm(4.1 eV)和423 nm(2.93 eV)处.
以毬磨的B/BN混閤物為原料,採用一步法在蘸有催化劑的硅片上閤成瞭大量BN納米刺包裹在Si納米或微米線上的複閤糰簇結構.EDS和SAED錶明外層的納米刺是六方BN多晶,裏麵包裹的Si納米或微米線則是立方的Si單晶.實驗結果錶明閤成溫度對BN/Si複閤結構形成有重要影響,隻有在1250 ℃以上的溫度纔會生成BN /Si複閤糰簇結構,另外隻有噹硅片與樣品接觸時纔會形成複閤產物.PL光譜顯示複閤產物在360 nm的激髮下,其髮光峰在303 nm(4.1 eV)和423 nm(2.93 eV)處.
이구마적B/BN혼합물위원료,채용일보법재잠유최화제적규편상합성료대량BN납미자포과재Si납미혹미미선상적복합단족결구.EDS화SAED표명외층적납미자시륙방BN다정,리면포과적Si납미혹미미선칙시립방적Si단정.실험결과표명합성온도대BN/Si복합결구형성유중요영향,지유재1250 ℃이상적온도재회생성BN /Si복합단족결구,령외지유당규편여양품접촉시재회형성복합산물.PL광보현시복합산물재360 nm적격발하,기발광봉재303 nm(4.1 eV)화423 nm(2.93 eV)처.
