人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
4期
853-857
,共5页
张雷%邵永亮%吴拥中%张浩东%郝霄鹏%蒋民华
張雷%邵永亮%吳擁中%張浩東%郝霄鵬%蔣民華
장뢰%소영량%오옹중%장호동%학소붕%장민화
模拟%GaN%氢化物气相外延%气流分布
模擬%GaN%氫化物氣相外延%氣流分佈
모의%GaN%경화물기상외연%기류분포
采用计算流体力学软件Fluent对HVPE反应室进行了数值模拟,研究了GaCl载气流量对HVPE反应室气流分布的影响,发现GaCl载气流量是影响GaCl和NH3在衬底上均匀分布的重要因素.采用HVPE方法在不同GaCl载气流量下生长GaN单晶,研究了GaCl载气流量对GaN单晶质量的影响,得到了与模拟一致的结果.
採用計算流體力學軟件Fluent對HVPE反應室進行瞭數值模擬,研究瞭GaCl載氣流量對HVPE反應室氣流分佈的影響,髮現GaCl載氣流量是影響GaCl和NH3在襯底上均勻分佈的重要因素.採用HVPE方法在不同GaCl載氣流量下生長GaN單晶,研究瞭GaCl載氣流量對GaN單晶質量的影響,得到瞭與模擬一緻的結果.
채용계산류체역학연건Fluent대HVPE반응실진행료수치모의,연구료GaCl재기류량대HVPE반응실기류분포적영향,발현GaCl재기류량시영향GaCl화NH3재츤저상균균분포적중요인소.채용HVPE방법재불동GaCl재기류량하생장GaN단정,연구료GaCl재기류량대GaN단정질량적영향,득도료여모의일치적결과.
