半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
5期
371-374,389
,共5页
氧化铟锡%透明导电薄膜%p型氮化镓%欧姆接触%发光二极管
氧化銦錫%透明導電薄膜%p型氮化鎵%歐姆接觸%髮光二極管
양화인석%투명도전박막%p형담화가%구모접촉%발광이겁관
针对GaN基发光二极管中p-GaN与透明导电薄膜ITO之间的接触进行研究,尝试找出透明导电层ITO的优化制程条件.将在不同氧流量、ITO厚度及退火温度下制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管,来增加电流扩展,减小ITO与p-GaN欧姆接触电阻,降低LED工作电压及提高透过率、增强LED发光亮度.将ITO薄膜应用于218 μm×363μm GaN基发光二极管LED,分析其在20 mA工作电流条件下正向电压和光输出功率的变化,在优化条件下制得的蓝光LED在直流电流20 mA下的正向电压3.23 V,光输出效率为23.25 mW.
針對GaN基髮光二極管中p-GaN與透明導電薄膜ITO之間的接觸進行研究,嘗試找齣透明導電層ITO的優化製程條件.將在不同氧流量、ITO厚度及退火溫度下製備的透明電極ITO薄膜應用于GaN基髮光二極管,來增加電流擴展,減小ITO與p-GaN歐姆接觸電阻,降低LED工作電壓及提高透過率、增彊LED髮光亮度.將ITO薄膜應用于218 μm×363μm GaN基髮光二極管LED,分析其在20 mA工作電流條件下正嚮電壓和光輸齣功率的變化,在優化條件下製得的藍光LED在直流電流20 mA下的正嚮電壓3.23 V,光輸齣效率為23.25 mW.
침대GaN기발광이겁관중p-GaN여투명도전박막ITO지간적접촉진행연구,상시조출투명도전층ITO적우화제정조건.장재불동양류량、ITO후도급퇴화온도하제비적투명전겁ITO박막응용우GaN기발광이겁관,래증가전류확전,감소ITO여p-GaN구모접촉전조,강저LED공작전압급제고투과솔、증강LED발광량도.장ITO박막응용우218 μm×363μm GaN기발광이겁관LED,분석기재20 mA공작전류조건하정향전압화광수출공솔적변화,재우화조건하제득적람광LED재직류전류20 mA하적정향전압3.23 V,광수출효솔위23.25 mW.
