半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
11期
1429-1433
,共5页
杨君玲%陈诺夫%刘志凯%杨少延%柴春林%廖梅勇%何宏家
楊君玲%陳諾伕%劉誌凱%楊少延%柴春林%廖梅勇%何宏傢
양군령%진낙부%류지개%양소연%시춘림%료매용%하굉가
半导体性锰硅化物%硅单晶%质量分析的低能离子柬
半導體性錳硅化物%硅單晶%質量分析的低能離子柬
반도체성맹규화물%규단정%질량분석적저능리자간
利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物,Mn27Si47和Mn15Si26.俄歇电子谱深度组分测量结果表明,在单晶Si的表面淀积了一薄层厚度约为37.5nm的Mn,另一部分Mn离子成功注入进Si基底里,注入深度为618nm.在840℃条件下在流动N2气氛中对生长样品进行退火,X射线衍射结果表明退火后Mn27Si47和Mn15Si26结晶更好.
利用質量分析的低能雙離子束外延技術得到瞭半導體性的錳硅化物,Mn27Si47和Mn15Si26.俄歇電子譜深度組分測量結果錶明,在單晶Si的錶麵澱積瞭一薄層厚度約為37.5nm的Mn,另一部分Mn離子成功註入進Si基底裏,註入深度為618nm.在840℃條件下在流動N2氣氛中對生長樣品進行退火,X射線衍射結果錶明退火後Mn27Si47和Mn15Si26結晶更好.
이용질량분석적저능쌍리자속외연기술득도료반도체성적맹규화물,Mn27Si47화Mn15Si26.아헐전자보심도조분측량결과표명,재단정Si적표면정적료일박층후도약위37.5nm적Mn,령일부분Mn리자성공주입진Si기저리,주입심도위618nm.재840℃조건하재류동N2기분중대생장양품진행퇴화,X사선연사결과표명퇴화후Mn27Si47화Mn15Si26결정경호.
