半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2005年
12期
29-31
,共3页
陶凯%郭国超%孔蔚然%韩瑞津%邹世昌
陶凱%郭國超%孔蔚然%韓瑞津%鄒世昌
도개%곽국초%공위연%한서진%추세창
现场蒸汽生成退火%低压化学汽相淀积%隧穿氧化层
現場蒸汽生成退火%低壓化學汽相澱積%隧穿氧化層
현장증기생성퇴화%저압화학기상정적%수천양화층
利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理.由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了较大改善.这一结果为低压化学汽相沉积得到的隧穿氧化薄膜的平坦化提供了新思路.
利用ISSG低壓退火法來取代傳統的氧氣退火法,對沉積後的隧穿氧化薄膜進行退火處理.由于其獨特的可控補償氧化生長機製,最終在晶圓錶麵形成瞭厚度均勻的氧化層,薄膜質量也有瞭較大改善.這一結果為低壓化學汽相沉積得到的隧穿氧化薄膜的平坦化提供瞭新思路.
이용ISSG저압퇴화법래취대전통적양기퇴화법,대침적후적수천양화박막진행퇴화처리.유우기독특적가공보상양화생장궤제,최종재정원표면형성료후도균균적양화층,박막질량야유료교대개선.저일결과위저압화학기상침적득도적수천양화박막적평탄화제공료신사로.
