原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2008年
2期
185-188
,共4页
启明星1#实验装置%MCNP程序%有源次临界中子有效增殖因子%有效增殖系数%外源中子平均价值
啟明星1#實驗裝置%MCNP程序%有源次臨界中子有效增殖因子%有效增殖繫數%外源中子平均價值
계명성1#실험장치%MCNP정서%유원차림계중자유효증식인자%유효증식계수%외원중자평균개치
用MCNP程序对启明星1#实验装置(Venus 1#)的ks、keff和ψ*进行模拟计算.在装置的源区、快区、反射层、屏蔽层已定条件下,逐层增加热区燃料元件,每增加1层,对ks、keff和ψ*进行1次计算,共增加了13层,最终得到keff为0.962 46,满足了Venus 1#的设计要求.元件层数增加,ψ*先增后降,当增至12层时,ψ*又明显增大.外源位置和能量对ψ*有影响,外源在轴向离中心越近、能量越高,ψ*越大.
用MCNP程序對啟明星1#實驗裝置(Venus 1#)的ks、keff和ψ*進行模擬計算.在裝置的源區、快區、反射層、屏蔽層已定條件下,逐層增加熱區燃料元件,每增加1層,對ks、keff和ψ*進行1次計算,共增加瞭13層,最終得到keff為0.962 46,滿足瞭Venus 1#的設計要求.元件層數增加,ψ*先增後降,噹增至12層時,ψ*又明顯增大.外源位置和能量對ψ*有影響,外源在軸嚮離中心越近、能量越高,ψ*越大.
용MCNP정서대계명성1#실험장치(Venus 1#)적ks、keff화ψ*진행모의계산.재장치적원구、쾌구、반사층、병폐층이정조건하,축층증가열구연료원건,매증가1층,대ks、keff화ψ*진행1차계산,공증가료13층,최종득도keff위0.962 46,만족료Venus 1#적설계요구.원건층수증가,ψ*선증후강,당증지12층시,ψ*우명현증대.외원위치화능량대ψ*유영향,외원재축향리중심월근、능량월고,ψ*월대.
