快速热退火对a-Si:H/SiO2多层膜光致发光的影响
쾌속열퇴화대a-Si:H/SiO2다층막광치발광적영향
Rapid Thermal Annealing Effects on Photoluminescence from a-Si: H/SiO2 Multilayers
  • 万方数据
    南京大学学报（自然科学版） 남경대학학보（자연과학판）
    JOURNAL OF NANJING UNIVERSITY(NATURAL SCIENCES)
    2005年 1期 55-60 ,共6页

    马忠元%韩培高%黄信凡%隋妍萍%陈三%钱波%李伟%徐岭%徐骏%陈坤基

    마충원%한배고%황신범%수연평%진삼%전파%리위%서령%서준%진곤기

    a-Si:H/SiO2多层膜%光致发光%快速热退火 a-Si:H/SiO2多層膜%光緻髮光%快速熱退火
    a-Si:H/SiO2다층막%광치발광%쾌속열퇴화
    采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中沉积a-Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a-Si:H/SiO2多层膜.用快速热退火对a-Si:H/SiO2多层膜进行处理,制备nc-Si/SiO2多层膜,研究了这种方法对a-Si:H/SiO2多层膜发光特性的影响.研究发现对a-Si:H/SiO2多层膜作快速热退火处理,可获得位于绿光和红光两个波段的发光峰.研究了不同退火条件下发光峰的变化.通过对样品的TEM、Raman散射谱和红外吸收谱的分析,探讨了a-Si:H/SiO2多层膜在不同退火温度下的光致发光机理.
    채용재등리자체증강화학기상침적(PECVD)계통중침적a-Si:H화원위등리자체축층양화적방법제비a-Si:H/SiO2다층막.용쾌속열퇴화대a-Si:H/SiO2다층막진행처리,제비nc-Si/SiO2다층막,연구료저충방법대a-Si:H/SiO2다층막발광특성적영향.연구발현대a-Si:H/SiO2다층막작쾌속열퇴화처리,가획득위우록광화홍광량개파단적발광봉.연구료불동퇴화조건하발광봉적변화.통과대양품적TEM、Raman산사보화홍외흡수보적분석,탐토료a-Si:H/SiO2다층막재불동퇴화온도하적광치발광궤리.
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