人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
4期
834-837,845
,共5页
梁栋程%赵北君%朱世富%陈宝军%何知宇%范强%徐婷
樑棟程%趙北君%硃世富%陳寶軍%何知宇%範彊%徐婷
량동정%조북군%주세부%진보군%하지우%범강%서정
磷锗锌%安瓿设计%XRD分析%IR透过谱
燐鍺鋅%安瓿設計%XRD分析%IR透過譜
린타자%안부설계%XRD분석%IR투과보
根据晶体自发成核几何淘汰规律,结合ZnGeP2晶体的结晶习性,研究设计出生长完整ZnGeP2单晶体的双层镀碳石英安瓿,其关键技术参数为:安瓿长径比6～7,籽晶袋长度≥25 mm,安瓿主体与籽晶袋之间的放肩角在25°左右.在上述生长安瓿中,采用改进的垂直布里奇曼法,分段控制下降速率,成功生长出尺寸为22 mm×40 mm的ZnGeP2单晶.对晶体进行X射线分析,获得(204)面单晶衍射谱和回摆谱,衍射峰峰形尖锐无劈裂,回摆谱对称性好,半峰宽为0.063 °;晶片在2～12 μm波段范围内的红外透过率达50%以上.实验结果表明,研究设计的生长安瓿适合于磷锗锌单晶生长,能够获得较高质量的单晶体.
根據晶體自髮成覈幾何淘汰規律,結閤ZnGeP2晶體的結晶習性,研究設計齣生長完整ZnGeP2單晶體的雙層鍍碳石英安瓿,其關鍵技術參數為:安瓿長徑比6～7,籽晶袋長度≥25 mm,安瓿主體與籽晶袋之間的放肩角在25°左右.在上述生長安瓿中,採用改進的垂直佈裏奇曼法,分段控製下降速率,成功生長齣呎吋為22 mm×40 mm的ZnGeP2單晶.對晶體進行X射線分析,穫得(204)麵單晶衍射譜和迴襬譜,衍射峰峰形尖銳無劈裂,迴襬譜對稱性好,半峰寬為0.063 °;晶片在2～12 μm波段範圍內的紅外透過率達50%以上.實驗結果錶明,研究設計的生長安瓿適閤于燐鍺鋅單晶生長,能夠穫得較高質量的單晶體.
근거정체자발성핵궤하도태규률,결합ZnGeP2정체적결정습성,연구설계출생장완정ZnGeP2단정체적쌍층도탄석영안부,기관건기술삼수위:안부장경비6～7,자정대장도≥25 mm,안부주체여자정대지간적방견각재25°좌우.재상술생장안부중,채용개진적수직포리기만법,분단공제하강속솔,성공생장출척촌위22 mm×40 mm적ZnGeP2단정.대정체진행X사선분석,획득(204)면단정연사보화회파보,연사봉봉형첨예무벽렬,회파보대칭성호,반봉관위0.063 °;정편재2～12 μm파단범위내적홍외투과솔체50%이상.실험결과표명,연구설계적생장안부괄합우린타자단정생장,능구획득교고질량적단정체.
