量子电子学报
量子電子學報
양자전자학보
CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
2010年
6期
705-710
,共6页
材料%颗粒膜晶体%光子晶体%低频折射率%介电常数和磁导率
材料%顆粒膜晶體%光子晶體%低頻摺射率%介電常數和磁導率
재료%과립막정체%광자정체%저빈절사솔%개전상수화자도솔
应用颗粒膜电介质晶体在低频极限下的准静态折射率、(εeffμeff)和静态折射率(εeff)的关系,分析和计算了光子晶体低频折射率.结果表明:由于低频电磁波诱导的涡流(或极化电流),使非磁性光子晶体显现反磁性共振,这个共振依赖于周期性颗粒的半径α和趋肤深度δ0之间的关系.即,如果δ0＜＜α,包含物内部电磁场被屏蔽,使每一种包含物的行为像μ=0的理想反磁性体.对于平行颗粒膜平面(H偏振)的电磁波,光子晶体的反磁性磁导率(μeff=1-f)总体上是随填充数的增加而线性地减少;相反地,当趋肤层大于半径,则反磁性体共振可以忽略.周期性颗粒的磁化引起静态和准静态折射率的结论,解释了非对易限制的问题.
應用顆粒膜電介質晶體在低頻極限下的準靜態摺射率、(εeffμeff)和靜態摺射率(εeff)的關繫,分析和計算瞭光子晶體低頻摺射率.結果錶明:由于低頻電磁波誘導的渦流(或極化電流),使非磁性光子晶體顯現反磁性共振,這箇共振依賴于週期性顆粒的半徑α和趨膚深度δ0之間的關繫.即,如果δ0＜＜α,包含物內部電磁場被屏蔽,使每一種包含物的行為像μ=0的理想反磁性體.對于平行顆粒膜平麵(H偏振)的電磁波,光子晶體的反磁性磁導率(μeff=1-f)總體上是隨填充數的增加而線性地減少;相反地,噹趨膚層大于半徑,則反磁性體共振可以忽略.週期性顆粒的磁化引起靜態和準靜態摺射率的結論,解釋瞭非對易限製的問題.
응용과립막전개질정체재저빈겁한하적준정태절사솔、(εeffμeff)화정태절사솔(εeff)적관계,분석화계산료광자정체저빈절사솔.결과표명:유우저빈전자파유도적와류(혹겁화전류),사비자성광자정체현현반자성공진,저개공진의뢰우주기성과립적반경α화추부심도δ0지간적관계.즉,여과δ0＜＜α,포함물내부전자장피병폐,사매일충포함물적행위상μ=0적이상반자성체.대우평행과립막평면(H편진)적전자파,광자정체적반자성자도솔(μeff=1-f)총체상시수전충수적증가이선성지감소;상반지,당추부층대우반경,칙반자성체공진가이홀략.주기성과립적자화인기정태화준정태절사솔적결론,해석료비대역한제적문제.
