真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2004年
3期
238-240
,共3页
赵士超%季振国%刘坤%宋永梁%杨永德
趙士超%季振國%劉坤%宋永樑%楊永德
조사초%계진국%류곤%송영량%양영덕
硅酸锌%固相反应%硅基光电薄膜
硅痠鋅%固相反應%硅基光電薄膜
규산자%고상반응%규기광전박막
利用溶胶-凝胶涂膜技术及高温固相反应技术,在硅片表面生长了掺铽和锰的两种高效硅基光致发光膜.XRD和吸收光谱分析测试结果表明,当固相反应温度高于850℃时,在硅片表面形成了晶态的Zn2SiO4薄膜.荧光光谱实验结果表明这种利用高温固相反应生成的掺铽或掺锰的Zn2SiO4薄膜的发光强度高,余辉为10ms数量级.本方法制备的硅基发光膜热稳定性及化学稳定性好,有希望与硅集成电路工艺兼容.
利用溶膠-凝膠塗膜技術及高溫固相反應技術,在硅片錶麵生長瞭摻鋱和錳的兩種高效硅基光緻髮光膜.XRD和吸收光譜分析測試結果錶明,噹固相反應溫度高于850℃時,在硅片錶麵形成瞭晶態的Zn2SiO4薄膜.熒光光譜實驗結果錶明這種利用高溫固相反應生成的摻鋱或摻錳的Zn2SiO4薄膜的髮光彊度高,餘輝為10ms數量級.本方法製備的硅基髮光膜熱穩定性及化學穩定性好,有希望與硅集成電路工藝兼容.
이용용효-응효도막기술급고온고상반응기술,재규편표면생장료참특화맹적량충고효규기광치발광막.XRD화흡수광보분석측시결과표명,당고상반응온도고우850℃시,재규편표면형성료정태적Zn2SiO4박막.형광광보실험결과표명저충이용고온고상반응생성적참특혹참맹적Zn2SiO4박막적발광강도고,여휘위10ms수량급.본방법제비적규기발광막열은정성급화학은정성호,유희망여규집성전로공예겸용.
