微波学报
微波學報
미파학보
JOURNAL OF MICROWAVES
2005年
4期
54-57
,共4页
GaAs单片移相器%单片微波集成电路%GaAs工艺原型%高电子迁移率晶体管(HEMT)
GaAs單片移相器%單片微波集成電路%GaAs工藝原型%高電子遷移率晶體管(HEMT)
GaAs단편이상기%단편미파집성전로%GaAs공예원형%고전자천이솔정체관(HEMT)
本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5 μm高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,设计出五位移相器,并试制了180°位样片.试制样品尺寸1.5×1.0mm2,测试结果性能良好,在2.5～5.0GHz带宽内,移相起伏小于10°;在2.6～3.5GHz带宽内,移相起伏小于5°,同设计仿真结果基本吻合.
本文選擇瞭適于單片微波集成的移相器設計方案,使用砷化鉀(GaAs)0.5 μm高電子遷移率晶體管(HEMT)工藝原型,經微波電路、電場倣真,設計齣五位移相器,併試製瞭180°位樣片.試製樣品呎吋1.5×1.0mm2,測試結果性能良好,在2.5～5.0GHz帶寬內,移相起伏小于10°;在2.6～3.5GHz帶寬內,移相起伏小于5°,同設計倣真結果基本吻閤.
본문선택료괄우단편미파집성적이상기설계방안,사용신화갑(GaAs)0.5 μm고전자천이솔정체관(HEMT)공예원형,경미파전로、전장방진,설계출오위이상기,병시제료180°위양편.시제양품척촌1.5×1.0mm2,측시결과성능량호,재2.5～5.0GHz대관내,이상기복소우10°;재2.6～3.5GHz대관내,이상기복소우5°,동설계방진결과기본문합.
