半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
2期
183-186,190
,共5页
罗丹%郭伟玲%徐晨%舒雄文%沈光地
囉丹%郭偉玲%徐晨%舒雄文%瀋光地
라단%곽위령%서신%서웅문%침광지
半导体激光器%结温%测试%温度系数
半導體激光器%結溫%測試%溫度繫數
반도체격광기%결온%측시%온도계수
提出了一种测试结温的简便易行的新方法,用此方法能够较准确地测量出激光器在直流工作时的结温.通过改变环境温度得到激光器正向电压的温度系数dVf/dT,再改变电流应力测得正向电压随电流的变化率dVf/dI.其中,由理论计算得到dVf/dT推出的温度随电流的变化率ΔT/ΔI为31.9 ℃/A,由实验得到dVf/dT推出的ΔT/ΔI为37.2 ℃/A.把这两者和常规的波长漂移法得到的结果ΔT/ΔI ≈29.7 ℃/A进行比较,结果基本一致,从而证明了新方法的可行性.
提齣瞭一種測試結溫的簡便易行的新方法,用此方法能夠較準確地測量齣激光器在直流工作時的結溫.通過改變環境溫度得到激光器正嚮電壓的溫度繫數dVf/dT,再改變電流應力測得正嚮電壓隨電流的變化率dVf/dI.其中,由理論計算得到dVf/dT推齣的溫度隨電流的變化率ΔT/ΔI為31.9 ℃/A,由實驗得到dVf/dT推齣的ΔT/ΔI為37.2 ℃/A.把這兩者和常規的波長漂移法得到的結果ΔT/ΔI ≈29.7 ℃/A進行比較,結果基本一緻,從而證明瞭新方法的可行性.
제출료일충측시결온적간편역행적신방법,용차방법능구교준학지측량출격광기재직류공작시적결온.통과개변배경온도득도격광기정향전압적온도계수dVf/dT,재개변전류응력측득정향전압수전류적변화솔dVf/dI.기중,유이론계산득도dVf/dT추출적온도수전류적변화솔ΔT/ΔI위31.9 ℃/A,유실험득도dVf/dT추출적ΔT/ΔI위37.2 ℃/A.파저량자화상규적파장표이법득도적결과ΔT/ΔI ≈29.7 ℃/A진행비교,결과기본일치,종이증명료신방법적가행성.
