稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2007年
z3期
36-39
,共4页
裴素华%黄萍%张美娜%江玉清
裴素華%黃萍%張美娜%江玉清
배소화%황평%장미나%강옥청
Ga%阶梯式分布%晶闸管%电学性能
Ga%階梯式分佈%晶閘管%電學性能
Ga%계제식분포%정갑관%전학성능
利用开管扩Ga进行低浓度掺杂-长时间结深推移-浓度补偿与再分布方法形成Ga的阶梯式深结分布,用于普通晶闸管制备.实验与理论表明:J1和J2结附近Ga的较小浓度梯度aj保证器件具有较高阻断耐压特性;J3结附近Ga的浓度平缓分布,改善了器件触发参数的分散性;P2区内Ga较高的电导率-σ和J3结较大的注入比,同步协调和提高了器件的通态特性与动态特性.
利用開管擴Ga進行低濃度摻雜-長時間結深推移-濃度補償與再分佈方法形成Ga的階梯式深結分佈,用于普通晶閘管製備.實驗與理論錶明:J1和J2結附近Ga的較小濃度梯度aj保證器件具有較高阻斷耐壓特性;J3結附近Ga的濃度平緩分佈,改善瞭器件觸髮參數的分散性;P2區內Ga較高的電導率-σ和J3結較大的註入比,同步協調和提高瞭器件的通態特性與動態特性.
이용개관확Ga진행저농도참잡-장시간결심추이-농도보상여재분포방법형성Ga적계제식심결분포,용우보통정갑관제비.실험여이론표명:J1화J2결부근Ga적교소농도제도aj보증기건구유교고조단내압특성;J3결부근Ga적농도평완분포,개선료기건촉발삼수적분산성;P2구내Ga교고적전도솔-σ화J3결교대적주입비,동보협조화제고료기건적통태특성여동태특성.
