人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2008年
5期
1148-1151
,共4页
许岗%介万奇%王领航%孙晓燕
許崗%介萬奇%王領航%孫曉燕
허강%개만기%왕령항%손효연
碘化汞%金%石墨%氯化金%电极%Ⅰ-Ⅴ特性%接触电阻
碘化汞%金%石墨%氯化金%電極%Ⅰ-Ⅴ特性%接觸電阻
전화홍%금%석묵%록화금%전겁%Ⅰ-Ⅴ특성%접촉전조
利用Aligent4155型CVIV测试仪分别对Au/HgI2、AuCl3(Au)/HgI2、C(石墨)/HgI2接触的,Ⅰ-Ⅴ特性进行了测定,对比研究了不同电极材料与α-HgI2晶体所形成的接触特性,并利用热电子发射理论对实验结果进行了分析.结果表明,AuCl3和C均能与HgI2形成良好的欧姆接触,其欧姆特性系数分别为1.0291和0.9380,接触电阻分别为3.0×108Ω和1.0×108Ω;而溅射Au与Hg2接触的欧姆特性较差,欧姆系数约为0.8341,接触电阻为3.5×109Ω.这说明AuCl3,在HgI2表面形成了重掺杂,产生显著的隧道电流,从而形成了较理想的欧姆接触.C(石墨)化学性能稳定,电极制备工艺没有影响晶体表面质量,因此C(石墨)/HgI2接触电阻最小,并具有良好的欧姆特性.而溅射Au过程中由于温度升高引起晶体表面HgI2分子的挥发,造成晶体表面质量下降,导致Au/HgI2接触的欧姆特性变差.
利用Aligent4155型CVIV測試儀分彆對Au/HgI2、AuCl3(Au)/HgI2、C(石墨)/HgI2接觸的,Ⅰ-Ⅴ特性進行瞭測定,對比研究瞭不同電極材料與α-HgI2晶體所形成的接觸特性,併利用熱電子髮射理論對實驗結果進行瞭分析.結果錶明,AuCl3和C均能與HgI2形成良好的歐姆接觸,其歐姆特性繫數分彆為1.0291和0.9380,接觸電阻分彆為3.0×108Ω和1.0×108Ω;而濺射Au與Hg2接觸的歐姆特性較差,歐姆繫數約為0.8341,接觸電阻為3.5×109Ω.這說明AuCl3,在HgI2錶麵形成瞭重摻雜,產生顯著的隧道電流,從而形成瞭較理想的歐姆接觸.C(石墨)化學性能穩定,電極製備工藝沒有影響晶體錶麵質量,因此C(石墨)/HgI2接觸電阻最小,併具有良好的歐姆特性.而濺射Au過程中由于溫度升高引起晶體錶麵HgI2分子的揮髮,造成晶體錶麵質量下降,導緻Au/HgI2接觸的歐姆特性變差.
이용Aligent4155형CVIV측시의분별대Au/HgI2、AuCl3(Au)/HgI2、C(석묵)/HgI2접촉적,Ⅰ-Ⅴ특성진행료측정,대비연구료불동전겁재료여α-HgI2정체소형성적접촉특성,병이용열전자발사이론대실험결과진행료분석.결과표명,AuCl3화C균능여HgI2형성량호적구모접촉,기구모특성계수분별위1.0291화0.9380,접촉전조분별위3.0×108Ω화1.0×108Ω;이천사Au여Hg2접촉적구모특성교차,구모계수약위0.8341,접촉전조위3.5×109Ω.저설명AuCl3,재HgI2표면형성료중참잡,산생현저적수도전류,종이형성료교이상적구모접촉.C(석묵)화학성능은정,전겁제비공예몰유영향정체표면질량,인차C(석묵)/HgI2접촉전조최소,병구유량호적구모특성.이천사Au과정중유우온도승고인기정체표면HgI2분자적휘발,조성정체표면질량하강,도치Au/HgI2접촉적구모특성변차.
