微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2010年
5期
671-674,679
,共5页
朱培生%明鑫%周泽坤%张波
硃培生%明鑫%週澤坤%張波
주배생%명흠%주택곤%장파
频率抖动电路%周期调制%EMI%D类放大器
頻率抖動電路%週期調製%EMI%D類放大器
빈솔두동전로%주기조제%EMI%D류방대기
提出了一种用于D类放大器的新型频率抖动电路.采用流控模式和容控模式相结合,利用周期数字频率调制,使能量原本集中的频谱分散到离散频率点上,从而使频谱幅度降低,减小D类放大器EMI的辐射.基于0.5 μm CMOS工艺,对提出的频率抖动电路进行仿真验证.结果表明,频率抖动点具有很好的均匀性和线性度,并且D类放大器的EMI峰值幅度下降约13 dB;高频频谱连续,扩频效果显著,频率抖动电路面积约840 μm2,消耗的最大电流仅为1.2 μA.
提齣瞭一種用于D類放大器的新型頻率抖動電路.採用流控模式和容控模式相結閤,利用週期數字頻率調製,使能量原本集中的頻譜分散到離散頻率點上,從而使頻譜幅度降低,減小D類放大器EMI的輻射.基于0.5 μm CMOS工藝,對提齣的頻率抖動電路進行倣真驗證.結果錶明,頻率抖動點具有很好的均勻性和線性度,併且D類放大器的EMI峰值幅度下降約13 dB;高頻頻譜連續,擴頻效果顯著,頻率抖動電路麵積約840 μm2,消耗的最大電流僅為1.2 μA.
제출료일충용우D류방대기적신형빈솔두동전로.채용류공모식화용공모식상결합,이용주기수자빈솔조제,사능량원본집중적빈보분산도리산빈솔점상,종이사빈보폭도강저,감소D류방대기EMI적복사.기우0.5 μm CMOS공예,대제출적빈솔두동전로진행방진험증.결과표명,빈솔두동점구유흔호적균균성화선성도,병차D류방대기적EMI봉치폭도하강약13 dB;고빈빈보련속,확빈효과현저,빈솔두동전로면적약840 μm2,소모적최대전류부위1.2 μA.
