微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
8期
523-527
,共5页
富迪%陈豪%杨轶%任天令%刘理天
富迪%陳豪%楊軼%任天令%劉理天
부적%진호%양질%임천령%류리천
硅-硅键合%微机电压电超声换能器(pMUT)%PZT膜%高频换能器阵列%医学超声成像
硅-硅鍵閤%微機電壓電超聲換能器(pMUT)%PZT膜%高頻換能器陣列%醫學超聲成像
규-규건합%미궤전압전초성환능기(pMUT)%PZT막%고빈환능기진렬%의학초성성상
针对超声换能器阵列中阵元密度难以提升和工艺重复性差等问题,提出了一种基于硅-硅键合技术的MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法,并采用该方法制备了阵元间距小至150 μm的密排二维换能器阵列.阵列中每个声学单元均为由上电极、压电材料(PZT)层、下电极和支撑层组成的多层膜结构,并通过其弯曲振动模式实现超声波的发射和接收.制备样品的测试结果表明,采用该方法制作MEMS压电超声换能器阵列,具有阵元间距小、工艺流程可靠、成品率高、一致性好、工作频率(2.45 MHz)与设计值(2.5 MHz)的吻合度高等优点,适用于医学成像等高频超声成像系统.
針對超聲換能器陣列中陣元密度難以提升和工藝重複性差等問題,提齣瞭一種基于硅-硅鍵閤技術的MEMS壓電超聲換能器二維陣列的製備方法,併採用該方法製備瞭陣元間距小至150 μm的密排二維換能器陣列.陣列中每箇聲學單元均為由上電極、壓電材料(PZT)層、下電極和支撐層組成的多層膜結構,併通過其彎麯振動模式實現超聲波的髮射和接收.製備樣品的測試結果錶明,採用該方法製作MEMS壓電超聲換能器陣列,具有陣元間距小、工藝流程可靠、成品率高、一緻性好、工作頻率(2.45 MHz)與設計值(2.5 MHz)的吻閤度高等優點,適用于醫學成像等高頻超聲成像繫統.
침대초성환능기진렬중진원밀도난이제승화공예중복성차등문제,제출료일충기우규-규건합기술적MEMS압전초성환능기이유진렬적제비방법,병채용해방법제비료진원간거소지150 μm적밀배이유환능기진렬.진렬중매개성학단원균위유상전겁、압전재료(PZT)층、하전겁화지탱층조성적다층막결구,병통과기만곡진동모식실현초성파적발사화접수.제비양품적측시결과표명,채용해방법제작MEMS압전초성환능기진렬,구유진원간거소、공예류정가고、성품솔고、일치성호、공작빈솔(2.45 MHz)여설계치(2.5 MHz)적문합도고등우점,괄용우의학성상등고빈초성성상계통.
