光电工程
光電工程
광전공정
OPTO-ELECTRONIC ENGINEERING
2012年
2期
134-140
,共7页
电子束蒸发%离子束辅助沉积%离子束反应溅射%HfO2薄膜%薄膜特性
電子束蒸髮%離子束輔助沉積%離子束反應濺射%HfO2薄膜%薄膜特性
전자속증발%리자속보조침적%리자속반응천사%HfO2박막%박막특성
利用电子束蒸发、离子束辅助沉积和离子束反应溅射三种制备方法制备了单层HfO2薄膜,对薄膜样品的晶体结构、光学特性、表面形貌以及吸收特性进行了研究.实验结果表明,薄膜特性与制备工艺有着密切的关系.电子束蒸发和离子束反应溅射制备的薄膜为非晶结构,而离子束辅助制备的薄膜为多晶结构.电子束蒸发制备的薄膜折射率较低,薄膜比较疏松,表面粗糙度较小,吸收相对较小,而离子束辅助以及离子束反应溅射制备的薄膜折射率较高,薄膜的结构比较致密,但表面粗糙度较大,吸收相对较大.不同制备工艺条件下薄膜的光学能隙范围为5.30 ～ 5.43 eV,对应的吸收边的范围为228.4 ～ 234.0 nm.
利用電子束蒸髮、離子束輔助沉積和離子束反應濺射三種製備方法製備瞭單層HfO2薄膜,對薄膜樣品的晶體結構、光學特性、錶麵形貌以及吸收特性進行瞭研究.實驗結果錶明,薄膜特性與製備工藝有著密切的關繫.電子束蒸髮和離子束反應濺射製備的薄膜為非晶結構,而離子束輔助製備的薄膜為多晶結構.電子束蒸髮製備的薄膜摺射率較低,薄膜比較疏鬆,錶麵粗糙度較小,吸收相對較小,而離子束輔助以及離子束反應濺射製備的薄膜摺射率較高,薄膜的結構比較緻密,但錶麵粗糙度較大,吸收相對較大.不同製備工藝條件下薄膜的光學能隙範圍為5.30 ～ 5.43 eV,對應的吸收邊的範圍為228.4 ～ 234.0 nm.
이용전자속증발、리자속보조침적화리자속반응천사삼충제비방법제비료단층HfO2박막,대박막양품적정체결구、광학특성、표면형모이급흡수특성진행료연구.실험결과표명,박막특성여제비공예유착밀절적관계.전자속증발화리자속반응천사제비적박막위비정결구,이리자속보조제비적박막위다정결구.전자속증발제비적박막절사솔교저,박막비교소송,표면조조도교소,흡수상대교소,이리자속보조이급리자속반응천사제비적박막절사솔교고,박막적결구비교치밀,단표면조조도교대,흡수상대교대.불동제비공예조건하박막적광학능극범위위5.30 ～ 5.43 eV,대응적흡수변적범위위228.4 ～ 234.0 nm.
