光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2003年
7期
826-829
,共4页
杜晓晴%常本康%汪贵华%宗志园
杜曉晴%常本康%汪貴華%宗誌園
두효청%상본강%왕귀화%종지완
负电子亲和势%光电阴极%激活%光谱响应%变角XPS
負電子親和勢%光電陰極%激活%光譜響應%變角XPS
부전자친화세%광전음겁%격활%광보향응%변각XPS
在自行研制的负电子亲和势光电阴极性能评估实验系统上,首次利用动态光谱响应技术和变角X射线光电子能谱(XPS)表面分析技术研究了GaAs光电阴极的(Cs,O)激活工艺.获得了首次导Cs、(Cs,O)导入以及(Cs,O)循环的优化激活条件.XPS分析给出GaAs(Cs,O)的最佳激活层厚度为0.82 nm,首次导Cs达到峰值光电发射时的Cs覆盖率为0.71个单层.在优化激活条件下,可以在国产反射式GaAs上获得1025 μA/lm的积分灵敏度.
在自行研製的負電子親和勢光電陰極性能評估實驗繫統上,首次利用動態光譜響應技術和變角X射線光電子能譜(XPS)錶麵分析技術研究瞭GaAs光電陰極的(Cs,O)激活工藝.穫得瞭首次導Cs、(Cs,O)導入以及(Cs,O)循環的優化激活條件.XPS分析給齣GaAs(Cs,O)的最佳激活層厚度為0.82 nm,首次導Cs達到峰值光電髮射時的Cs覆蓋率為0.71箇單層.在優化激活條件下,可以在國產反射式GaAs上穫得1025 μA/lm的積分靈敏度.
재자행연제적부전자친화세광전음겁성능평고실험계통상,수차이용동태광보향응기술화변각X사선광전자능보(XPS)표면분석기술연구료GaAs광전음겁적(Cs,O)격활공예.획득료수차도Cs、(Cs,O)도입이급(Cs,O)순배적우화격활조건.XPS분석급출GaAs(Cs,O)적최가격활층후도위0.82 nm,수차도Cs체도봉치광전발사시적Cs복개솔위0.71개단층.재우화격활조건하,가이재국산반사식GaAs상획득1025 μA/lm적적분령민도.
