无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2008年
5期
1049-1053
,共5页
李刚%桑文斌%闵嘉华%钱永彪%施朱斌%戴灵恩%赵岳
李剛%桑文斌%閔嘉華%錢永彪%施硃斌%戴靈恩%趙嶽
리강%상문빈%민가화%전영표%시주빈%대령은%조악
碲锌镉%低温PL%深能级瞬态谱%缺陷能级
碲鋅鎘%低溫PL%深能級瞬態譜%缺陷能級
제자력%저온PL%심능급순태보%결함능급
利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制.PL测试结果表明,在In掺杂样品中,In原子占据了晶体中原有的Cd空位,形成了能级位于Ec-18meV的替代浅施主缺陷[In+Cd],同时[In+Cd]还与[v2-Cd]形成了能级位于Ev+163meV的复合缺陷[(In+Cd-V2-Cd)-].DLTS 分析表明,掺In样品中存在导带以下约0.74eV的深能级电子陷阱能级,这个能级很可能是Te反位[Tecd]施主缺陷造成的.由此,In掺杂CdZnTe晶体的电学性质是In掺杂施主缺陷、Te反位深能级施主缺陷与本征受主缺陷Cd空位和残余受主杂质缺陷补偿的综合结果.
利用低壓垂直佈裏奇曼法製備瞭不同In摻雜量的CdZnTe晶體樣品,採用低溫光緻髮光譜(PL)、深能級瞬態譜(DLTS)以及霍爾測試等手段研究瞭In摻雜CdZnTe晶體中的主要缺陷能級及其可能存在的補償機製.PL測試結果錶明,在In摻雜樣品中,In原子佔據瞭晶體中原有的Cd空位,形成瞭能級位于Ec-18meV的替代淺施主缺陷[In+Cd],同時[In+Cd]還與[v2-Cd]形成瞭能級位于Ev+163meV的複閤缺陷[(In+Cd-V2-Cd)-].DLTS 分析錶明,摻In樣品中存在導帶以下約0.74eV的深能級電子陷阱能級,這箇能級很可能是Te反位[Tecd]施主缺陷造成的.由此,In摻雜CdZnTe晶體的電學性質是In摻雜施主缺陷、Te反位深能級施主缺陷與本徵受主缺陷Cd空位和殘餘受主雜質缺陷補償的綜閤結果.
이용저압수직포리기만법제비료불동In참잡량적CdZnTe정체양품,채용저온광치발광보(PL)、심능급순태보(DLTS)이급곽이측시등수단연구료In참잡CdZnTe정체중적주요결함능급급기가능존재적보상궤제.PL측시결과표명,재In참잡양품중,In원자점거료정체중원유적Cd공위,형성료능급위우Ec-18meV적체대천시주결함[In+Cd],동시[In+Cd]환여[v2-Cd]형성료능급위우Ev+163meV적복합결함[(In+Cd-V2-Cd)-].DLTS 분석표명,참In양품중존재도대이하약0.74eV적심능급전자함정능급,저개능급흔가능시Te반위[Tecd]시주결함조성적.유차,In참잡CdZnTe정체적전학성질시In참잡시주결함、Te반위심능급시주결함여본정수주결함Cd공위화잔여수주잡질결함보상적종합결과.
