半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
7期
701-703
,共3页
蔡道民%李献杰%赵永林%曾庆明%刘跳%郝跃
蔡道民%李獻傑%趙永林%曾慶明%劉跳%郝躍
채도민%리헌걸%조영림%증경명%류도%학약
单异质结双极性晶体管%发射极-基极自对准%隔离基极压点%跨阻放大器
單異質結雙極性晶體管%髮射極-基極自對準%隔離基極壓點%跨阻放大器
단이질결쌍겁성정체관%발사겁-기겁자대준%격리기겁압점%과조방대기
介绍了采用传统的三台面工艺,利用湿法选择腐蚀形成发射极.基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极性晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10 Gb/s跨阻放大器.其中SHBT获得了在Ic=10 mA,Vce=2 V时,fT和fmax分别为60、75 GHz,电流密度为100 kA/cm2,击穿电压大于3 V;跨阻放大器的跨阻增益为58 dBΩ,灵敏度为-23 dBm,3 dB带宽为8.2 GHz.该单片跨阻放大器可广泛应用于光纤通信.
介紹瞭採用傳統的三檯麵工藝,利用濕法選擇腐蝕形成髮射極.基極自對準的InGaAs/InP單異質結雙極性晶體管(SHBT)技術實現傳輸速率為10 Gb/s跨阻放大器.其中SHBT穫得瞭在Ic=10 mA,Vce=2 V時,fT和fmax分彆為60、75 GHz,電流密度為100 kA/cm2,擊穿電壓大于3 V;跨阻放大器的跨阻增益為58 dBΩ,靈敏度為-23 dBm,3 dB帶寬為8.2 GHz.該單片跨阻放大器可廣汎應用于光纖通信.
개소료채용전통적삼태면공예,이용습법선택부식형성발사겁.기겁자대준적InGaAs/InP단이질결쌍겁성정체관(SHBT)기술실현전수속솔위10 Gb/s과조방대기.기중SHBT획득료재Ic=10 mA,Vce=2 V시,fT화fmax분별위60、75 GHz,전류밀도위100 kA/cm2,격천전압대우3 V;과조방대기적과조증익위58 dBΩ,령민도위-23 dBm,3 dB대관위8.2 GHz.해단편과조방대기가엄범응용우광섬통신.
