半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
8期
817-820
,共4页
刘建栋%刘红兵%高燕宇%高翠琢
劉建棟%劉紅兵%高燕宇%高翠琢
류건동%류홍병%고연우%고취탁
功率%介质振荡器%小型化%散热%相位噪声
功率%介質振盪器%小型化%散熱%相位譟聲
공솔%개질진탕기%소형화%산열%상위조성
power%dielectric resonator oscillator%miniature%thermal dissipation%phase noiseEEACC: 1230B
针对小型化条件下,影响介质振荡器输出功率、相位噪声等主要技术指标的因素进行了分析,提出了提高小型化微波功率介质振荡器的输出功率、降低相位噪声和改善器件散热的方法.通过优化电路结构和CAD仿真技术,解决了功率耗散大与盒体模块小、相位噪声要求高和腔体尺寸小这两个主要矛盾,研制出的DRO输出频率为Ku波段点频,输出功率达到了0.5 W,工作效率为20%,相位噪声优于-80 dBc/Hz@10 kHz,体积为34 mm×27 mm×9 mm.研制结果表明,该介质振荡器具有体积小、输出功率高、相位噪声较高等优点,性能可靠,满足系统小型化使用要求.
針對小型化條件下,影響介質振盪器輸齣功率、相位譟聲等主要技術指標的因素進行瞭分析,提齣瞭提高小型化微波功率介質振盪器的輸齣功率、降低相位譟聲和改善器件散熱的方法.通過優化電路結構和CAD倣真技術,解決瞭功率耗散大與盒體模塊小、相位譟聲要求高和腔體呎吋小這兩箇主要矛盾,研製齣的DRO輸齣頻率為Ku波段點頻,輸齣功率達到瞭0.5 W,工作效率為20%,相位譟聲優于-80 dBc/Hz@10 kHz,體積為34 mm×27 mm×9 mm.研製結果錶明,該介質振盪器具有體積小、輸齣功率高、相位譟聲較高等優點,性能可靠,滿足繫統小型化使用要求.
침대소형화조건하,영향개질진탕기수출공솔、상위조성등주요기술지표적인소진행료분석,제출료제고소형화미파공솔개질진탕기적수출공솔、강저상위조성화개선기건산열적방법.통과우화전로결구화CAD방진기술,해결료공솔모산대여합체모괴소、상위조성요구고화강체척촌소저량개주요모순,연제출적DRO수출빈솔위Ku파단점빈,수출공솔체도료0.5 W,공작효솔위20%,상위조성우우-80 dBc/Hz@10 kHz,체적위34 mm×27 mm×9 mm.연제결과표명,해개질진탕기구유체적소、수출공솔고、상위조성교고등우점,성능가고,만족계통소형화사용요구.
The effect of miniature on the DRO phase noise and output power were analyzed, the method for improving the output power, signal phase noise and device thermal dissipation were put forward. Spacious structure and CAD method were employed to solve the key issues such as size and thermal dissipation, phase noise and small cavity. The Ku band miniature microwave power DRO operates in Ku band with 0.5 W output power, 20 % work efficiency and -80 dBc/Hz@ 10 kHz phase noise. The size of DRO is 34 mm× 27 mm×9 mm. The results show that this DRO has the merits of small size, high output power, moderate phase noise and high frequency reliability.
