化学工程师
化學工程師
화학공정사
CHEMICAL ENGINEER
2012年
5期
24-25,33
,共3页
三氯氢硅%分子模拟%密度泛函理论%过渡态
三氯氫硅%分子模擬%密度汎函理論%過渡態
삼록경규%분자모의%밀도범함이론%과도태
三氯氢硅还原反应是改良西门子法生产多晶硅的主要过程,本文对三氯氢硅还原反应进行分子模拟,采用密度泛函理论方法(DFT)研究了三氯氢硅还原成多晶硅的能量变化,对其分子结构进行优化,通过LST/QST方法计算多晶硅还原过程中可能出现的过渡态及能量的变化,得到过渡态TSa、TSb、TSc.结果表明,三氯氢硅还原反应通道Path a所得过渡态的活化能垒较低,过程进行较顺利.
三氯氫硅還原反應是改良西門子法生產多晶硅的主要過程,本文對三氯氫硅還原反應進行分子模擬,採用密度汎函理論方法(DFT)研究瞭三氯氫硅還原成多晶硅的能量變化,對其分子結構進行優化,通過LST/QST方法計算多晶硅還原過程中可能齣現的過渡態及能量的變化,得到過渡態TSa、TSb、TSc.結果錶明,三氯氫硅還原反應通道Path a所得過渡態的活化能壘較低,過程進行較順利.
삼록경규환원반응시개량서문자법생산다정규적주요과정,본문대삼록경규환원반응진행분자모의,채용밀도범함이론방법(DFT)연구료삼록경규환원성다정규적능량변화,대기분자결구진행우화,통과LST/QST방법계산다정규환원과정중가능출현적과도태급능량적변화,득도과도태TSa、TSb、TSc.결과표명,삼록경규환원반응통도Path a소득과도태적활화능루교저,과정진행교순리.
