厦门大学学报(自然科学版)
廈門大學學報(自然科學版)
하문대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF XIAMEN UNIVERSITY
2004年
4期
496-499
,共4页
曾明刚%陈松岩%陈谋智%王水菊%林爱清%邓彩玲
曾明剛%陳鬆巖%陳謀智%王水菊%林愛清%鄧綵玲
증명강%진송암%진모지%왕수국%림애청%산채령
掺锡氧化铟(ITO)薄膜%磁控溅射%微结构
摻錫氧化銦(ITO)薄膜%磁控濺射%微結構
참석양화인(ITO)박막%자공천사%미결구
采用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积掺锡氧化铟(ITO)薄膜,用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)技术和电导率、透射光谱测试技术,研究真空低温退火后ITO薄膜微结构、薄膜电导率、光谱透射率的变化.研究表明,真空低温退火使得晶体微结构得到改善,晶体呈(222)择优取向,晶体的结晶颗粒变大.不同价态的Sn对In3+的替代引起晶格结构和ITO薄膜的载流子浓度的变化,从而影响到薄膜的导电性和透射率,证明了真空退火下氧化铟薄膜微结构变化是影响薄膜电导率与透射率的主要原因.为研制新型光电器件的透明电极提供了参考.
採用磁控濺射法在玻璃襯底上沉積摻錫氧化銦(ITO)薄膜,用X射線衍射(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)技術和電導率、透射光譜測試技術,研究真空低溫退火後ITO薄膜微結構、薄膜電導率、光譜透射率的變化.研究錶明,真空低溫退火使得晶體微結構得到改善,晶體呈(222)擇優取嚮,晶體的結晶顆粒變大.不同價態的Sn對In3+的替代引起晶格結構和ITO薄膜的載流子濃度的變化,從而影響到薄膜的導電性和透射率,證明瞭真空退火下氧化銦薄膜微結構變化是影響薄膜電導率與透射率的主要原因.為研製新型光電器件的透明電極提供瞭參攷.
채용자공천사법재파리츤저상침적참석양화인(ITO)박막,용X사선연사(XRD)、X사선광전자능보(XPS)기술화전도솔、투사광보측시기술,연구진공저온퇴화후ITO박막미결구、박막전도솔、광보투사솔적변화.연구표명,진공저온퇴화사득정체미결구득도개선,정체정(222)택우취향,정체적결정과립변대.불동개태적Sn대In3+적체대인기정격결구화ITO박막적재류자농도적변화,종이영향도박막적도전성화투사솔,증명료진공퇴화하양화인박막미결구변화시영향박막전도솔여투사솔적주요원인.위연제신형광전기건적투명전겁제공료삼고.
