多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响
다완충층대MOCVD생장적GaN성능적영향
Multi-Buffer Layers Effect on Characteristic of GaN Grown by MOCVD
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2004年 5期 526-529 ,共4页

    陆敏%方慧智%黎子兰%陆曙%杨华%章蓓%张国义

    륙민%방혜지%려자란%륙서%양화%장배%장국의

    MOCVD%GaN%缓冲层 MOCVD%GaN%緩遲層
    MOCVD%GaN%완충층
    采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜.对薄膜进行了X射线衍射和光致发光谱(PL)测试,(0002)X射线摇摆曲线和PL谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善.实验结果表明改进的缓冲层法能提高MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量.
    채용다저온완충층법화고저온연합완충층법재MOCVD계통상생장GaN외연막.대박막진행료X사선연사화광치발광보(PL)측시,(0002)X사선요파곡선화PL보적반고관여상규적단저온완충층법제비적박막상비균유불동정도적개선.실험결과표명개진적완충층법능제고MOCVD생장적담화가외연막정체질량.
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