材料科学与工程学报
材料科學與工程學報
재료과학여공정학보
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING
2008年
2期
298-301
,共4页
低温多晶硅薄膜%金属诱导横向晶化%准分子激光晶化%电感耦合等离子体化学气相沉积
低溫多晶硅薄膜%金屬誘導橫嚮晶化%準分子激光晶化%電感耦閤等離子體化學氣相沉積
저온다정규박막%금속유도횡향정화%준분자격광정화%전감우합등리자체화학기상침적
低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动技术是实现大尺寸全彩平板显示的必由之路.然而,传统的低温多晶硅薄膜制作工艺存在着工序复杂、薄膜均匀性差、可能有金属污染且造价昂贵等问题.因此,有必要研发新一代的低温多晶硅薄膜制备工艺以期进一步提高薄膜质量,降低驱动成本.本文首先介绍了金属诱导横向晶化法(MILC)和准分子激光晶化法(ELA)制备低温多晶硅薄膜的原理,分析了两者各自的优缺点.接着,重点阐述了电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)的工作原理和特点,并介绍了目前ICP-CVD在低温多晶硅薄膜制备上所取得的进展.
低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS-TFT)驅動技術是實現大呎吋全綵平闆顯示的必由之路.然而,傳統的低溫多晶硅薄膜製作工藝存在著工序複雜、薄膜均勻性差、可能有金屬汙染且造價昂貴等問題.因此,有必要研髮新一代的低溫多晶硅薄膜製備工藝以期進一步提高薄膜質量,降低驅動成本.本文首先介紹瞭金屬誘導橫嚮晶化法(MILC)和準分子激光晶化法(ELA)製備低溫多晶硅薄膜的原理,分析瞭兩者各自的優缺點.接著,重點闡述瞭電感耦閤等離子體化學氣相沉積法(ICP-CVD)的工作原理和特點,併介紹瞭目前ICP-CVD在低溫多晶硅薄膜製備上所取得的進展.
저온다정규박막정체관(LTPS-TFT)구동기술시실현대척촌전채평판현시적필유지로.연이,전통적저온다정규박막제작공예존재착공서복잡、박막균균성차、가능유금속오염차조개앙귀등문제.인차,유필요연발신일대적저온다정규박막제비공예이기진일보제고박막질량,강저구동성본.본문수선개소료금속유도횡향정화법(MILC)화준분자격광정화법(ELA)제비저온다정규박막적원리,분석료량자각자적우결점.접착,중점천술료전감우합등리자체화학기상침적법(ICP-CVD)적공작원리화특점,병개소료목전ICP-CVD재저온다정규박막제비상소취득적진전.
