半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
11期
988-990
,共3页
徐永宽%程红娟%杨巍%于祥潞%赖占平%严如岳
徐永寬%程紅娟%楊巍%于祥潞%賴佔平%嚴如嶽
서영관%정홍연%양외%우상로%뢰점평%엄여악
氮化镓%氢化物气相外延%表面形貌%晶体生长%成核层
氮化鎵%氫化物氣相外延%錶麵形貌%晶體生長%成覈層
담화가%경화물기상외연%표면형모%정체생장%성핵층
通过研究蓝宝石衬底上HVPE-GaN的表面形貌,指导HVPE-GaN工艺.工艺是在自制的立式HVPE设备上进行的,通过显微镜观察了各种不同工艺条件下的GaN表面形貌.发现不采用成核层直接生长的GaN表面粗糙为多晶,而采用低温成核层所得到的GaN表面随着Ⅴ/Ⅲ比由大到小,从包状表面向坑状表面过渡,通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ,可以得到表面光滑、无色透明的GaN.其XRD摇摆曲线半高宽为450 arcs,表面粗糙度为0.9 mm.
通過研究藍寶石襯底上HVPE-GaN的錶麵形貌,指導HVPE-GaN工藝.工藝是在自製的立式HVPE設備上進行的,通過顯微鏡觀察瞭各種不同工藝條件下的GaN錶麵形貌.髮現不採用成覈層直接生長的GaN錶麵粗糙為多晶,而採用低溫成覈層所得到的GaN錶麵隨著Ⅴ/Ⅲ比由大到小,從包狀錶麵嚮坑狀錶麵過渡,通過選擇閤適的Ⅴ/Ⅲ,可以得到錶麵光滑、無色透明的GaN.其XRD搖襬麯線半高寬為450 arcs,錶麵粗糙度為0.9 mm.
통과연구람보석츤저상HVPE-GaN적표면형모,지도HVPE-GaN공예.공예시재자제적입식HVPE설비상진행적,통과현미경관찰료각충불동공예조건하적GaN표면형모.발현불채용성핵층직접생장적GaN표면조조위다정,이채용저온성핵층소득도적GaN표면수착Ⅴ/Ⅲ비유대도소,종포상표면향갱상표면과도,통과선택합괄적Ⅴ/Ⅲ,가이득도표면광활、무색투명적GaN.기XRD요파곡선반고관위450 arcs,표면조조도위0.9 mm.
