光谱学与光谱分析
光譜學與光譜分析
광보학여광보분석
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
2008年
9期
2033-2037
,共5页
孙小菁%马书懿%魏晋军%徐小丽
孫小菁%馬書懿%魏晉軍%徐小麗
손소정%마서의%위진군%서소려
锗/多孔硅%锗/氧化硅%光致发光%红外吸收
鍺/多孔硅%鍺/氧化硅%光緻髮光%紅外吸收
타/다공규%타/양화규%광치발광%홍외흡수
采用磁控溅射技术,以锗为溅射靶,在多孔硅上沉积锗薄膜,沉积时间分别为4,8和12 min,及以锗-二氧化硅复合靶为溅射靶,在n型硅衬底上沉积了含纳米锗颗粒的氧化硅薄膜,锗与总靶的面积比分别为5%,15%,30%.各样品在氮气氛中分别经过300,600及900℃退火30 min.对锗/多孔硅和锗/氧化硅薄膜进行了光致发光谱的对比研究,用红外吸收谱分析了锗/多孔硅的薄膜结构.实验结果显示,锗/多孔硅薄膜的发光峰位于517 nm附近,沉积时间对发光峰的强度有显著影响,锗层越厚峰强越弱.锗/氧化硅薄膜的发光峰位于580 nm附近,锗与总靶的面积比对发光峰的强度影响较大,锗/氧化硅薄膜中的锗含量越高峰强越弱.不同的退火温度对样品的发光峰强及峰位均没有明显影响.可以认为锗/多孔硅的发光峰是由多孔硅与孔间隙中的锗纳米晶粒两者界面的锗相关缺陷引起的,而锗/氧化硅的发光峰来自于二氧化硅的发光中心.
採用磁控濺射技術,以鍺為濺射靶,在多孔硅上沉積鍺薄膜,沉積時間分彆為4,8和12 min,及以鍺-二氧化硅複閤靶為濺射靶,在n型硅襯底上沉積瞭含納米鍺顆粒的氧化硅薄膜,鍺與總靶的麵積比分彆為5%,15%,30%.各樣品在氮氣氛中分彆經過300,600及900℃退火30 min.對鍺/多孔硅和鍺/氧化硅薄膜進行瞭光緻髮光譜的對比研究,用紅外吸收譜分析瞭鍺/多孔硅的薄膜結構.實驗結果顯示,鍺/多孔硅薄膜的髮光峰位于517 nm附近,沉積時間對髮光峰的彊度有顯著影響,鍺層越厚峰彊越弱.鍺/氧化硅薄膜的髮光峰位于580 nm附近,鍺與總靶的麵積比對髮光峰的彊度影響較大,鍺/氧化硅薄膜中的鍺含量越高峰彊越弱.不同的退火溫度對樣品的髮光峰彊及峰位均沒有明顯影響.可以認為鍺/多孔硅的髮光峰是由多孔硅與孔間隙中的鍺納米晶粒兩者界麵的鍺相關缺陷引起的,而鍺/氧化硅的髮光峰來自于二氧化硅的髮光中心.
채용자공천사기술,이타위천사파,재다공규상침적타박막,침적시간분별위4,8화12 min,급이타-이양화규복합파위천사파,재n형규츤저상침적료함납미타과립적양화규박막,타여총파적면적비분별위5%,15%,30%.각양품재담기분중분별경과300,600급900℃퇴화30 min.대타/다공규화타/양화규박막진행료광치발광보적대비연구,용홍외흡수보분석료타/다공규적박막결구.실험결과현시,타/다공규박막적발광봉위우517 nm부근,침적시간대발광봉적강도유현저영향,타층월후봉강월약.타/양화규박막적발광봉위우580 nm부근,타여총파적면적비대발광봉적강도영향교대,타/양화규박막중적타함량월고봉강월약.불동적퇴화온도대양품적발광봉강급봉위균몰유명현영향.가이인위타/다공규적발광봉시유다공규여공간극중적타납미정립량자계면적타상관결함인기적,이타/양화규적발광봉래자우이양화규적발광중심.
