微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2009年
1期
137-140
,共4页
InGaP%异质结双极晶体管%人体模型%静电放电
InGaP%異質結雙極晶體管%人體模型%靜電放電
InGaP%이질결쌍겁정체관%인체모형%정전방전
研究了高速射频集成电路(RF IC)中InGaP异质结双极晶体管(HBT)器件的特性.测试了单指发射极和双指发射极两种结构器件的大信号DC I-V特性及抗人体模型(HBM)静电放电(ESD)能力.结果表明,双指发射极器件比单指器件能传导更高密度的电流,并能抵抗高能量的ESD;两种器件的击穿特性相似.这些结果可以用来指导RF IC ESD保护电路的设计.
研究瞭高速射頻集成電路(RF IC)中InGaP異質結雙極晶體管(HBT)器件的特性.測試瞭單指髮射極和雙指髮射極兩種結構器件的大信號DC I-V特性及抗人體模型(HBM)靜電放電(ESD)能力.結果錶明,雙指髮射極器件比單指器件能傳導更高密度的電流,併能牴抗高能量的ESD;兩種器件的擊穿特性相似.這些結果可以用來指導RF IC ESD保護電路的設計.
연구료고속사빈집성전로(RF IC)중InGaP이질결쌍겁정체관(HBT)기건적특성.측시료단지발사겁화쌍지발사겁량충결구기건적대신호DC I-V특성급항인체모형(HBM)정전방전(ESD)능력.결과표명,쌍지발사겁기건비단지기건능전도경고밀도적전류,병능저항고능량적ESD;량충기건적격천특성상사.저사결과가이용래지도RF IC ESD보호전로적설계.