固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年
3期
353-357,468
,共6页
毛旭瑞%刘庆纲%宋瑞良%毛陆虹%郭维廉
毛旭瑞%劉慶綱%宋瑞良%毛陸虹%郭維廉
모욱서%류경강%송서량%모륙홍%곽유렴
光电探测器%单行载流子传输光电二极管%共振隧穿二极管
光電探測器%單行載流子傳輸光電二極管%共振隧穿二極管
광전탐측기%단행재류자전수광전이겁관%공진수천이겁관
单行载流子光电二极管与共振隧穿二极管单片集成器件是一种新型高速光电探测器,也是高速光电单稳双稳转换逻辑电路的一个基本单元.用Atlas软件对该集成电路单元进行了直流和交流特性的模拟研究,模拟得到的3 dB带宽最高可达9 THz.模拟发现,光照强度、吸收层厚度、掺杂浓度、收集层浓度是影响器件3 dB带宽的主要因素.研究了器件材料参数、结构参数与器件3 dB带宽之间的关系,并得到在现行工艺下优化后的单行载流子光电二极管和共振隧穿二极管单片集成器件的工艺参数,模拟出3 dB带宽为1.03 THz.同时,对器件模拟和半导体工艺问的误差进行了分析和估计.这一工作为单行载流子光电二极管和共振隧穿二极管单片集成器件的设计和研制提供了工艺参数基础.
單行載流子光電二極管與共振隧穿二極管單片集成器件是一種新型高速光電探測器,也是高速光電單穩雙穩轉換邏輯電路的一箇基本單元.用Atlas軟件對該集成電路單元進行瞭直流和交流特性的模擬研究,模擬得到的3 dB帶寬最高可達9 THz.模擬髮現,光照彊度、吸收層厚度、摻雜濃度、收集層濃度是影響器件3 dB帶寬的主要因素.研究瞭器件材料參數、結構參數與器件3 dB帶寬之間的關繫,併得到在現行工藝下優化後的單行載流子光電二極管和共振隧穿二極管單片集成器件的工藝參數,模擬齣3 dB帶寬為1.03 THz.同時,對器件模擬和半導體工藝問的誤差進行瞭分析和估計.這一工作為單行載流子光電二極管和共振隧穿二極管單片集成器件的設計和研製提供瞭工藝參數基礎.
단행재류자광전이겁관여공진수천이겁관단편집성기건시일충신형고속광전탐측기,야시고속광전단은쌍은전환라집전로적일개기본단원.용Atlas연건대해집성전로단원진행료직류화교류특성적모의연구,모의득도적3 dB대관최고가체9 THz.모의발현,광조강도、흡수층후도、참잡농도、수집층농도시영향기건3 dB대관적주요인소.연구료기건재료삼수、결구삼수여기건3 dB대관지간적관계,병득도재현행공예하우화후적단행재류자광전이겁관화공진수천이겁관단편집성기건적공예삼수,모의출3 dB대관위1.03 THz.동시,대기건모의화반도체공예문적오차진행료분석화고계.저일공작위단행재류자광전이겁관화공진수천이겁관단편집성기건적설계화연제제공료공예삼수기출.
