半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
3期
524-529
,共6页
赵有文%董志远%李成基%段满龙%孙文荣
趙有文%董誌遠%李成基%段滿龍%孫文榮
조유문%동지원%리성기%단만룡%손문영
磷化铟%半绝缘%缺陷
燐化銦%半絕緣%缺陷
린화인%반절연%결함
综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系,给出了抑制缺陷产生,提高材料质量的途径.对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论.
綜閤深能級缺陷和電學性質的測試結果,證明瞭半絕緣InP單晶材料的電學性能、熱穩定性、均勻性等性能與材料中一些深能級缺陷的含量密切相關.通過分析深能級缺陷產生的規律與熱處理及生長條件的關繫,給齣瞭抑製缺陷產生,提高材料質量的途徑.對缺陷的屬性與形成機理進行瞭分析討論.
종합심능급결함화전학성질적측시결과,증명료반절연InP단정재료적전학성능、열은정성、균균성등성능여재료중일사심능급결함적함량밀절상관.통과분석심능급결함산생적규률여열처리급생장조건적관계,급출료억제결함산생,제고재료질량적도경.대결함적속성여형성궤리진행료분석토론.
