硅酸盐通报
硅痠鹽通報
규산염통보
BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2007年
2期
252-255,272
,共5页
李金富%李康%王拥军%燕东明%段关文
李金富%李康%王擁軍%燕東明%段關文
리금부%리강%왕옹군%연동명%단관문
自蔓燃高温合成%燃烧温度%α-Si3N4%β-Si3N4
自蔓燃高溫閤成%燃燒溫度%α-Si3N4%β-Si3N4
자만연고온합성%연소온도%α-Si3N4%β-Si3N4
采用自蔓燃高温合成方法(self-propagating high-temperature synthesis,简称SHS)合成氮化硅粉体,分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释剂与孔隙率等方面的影响.采用XRD研究相的组成,用SEM观察粉末的显微结构.研究结果表明:只要控制反应中的工艺参数,就可以采用自蔓燃得到不同相含量的Si3N4粉体;考虑到燃烧温度(Tcom),在氮化硅粉体的合成过程中,涉及到3个反应机制:低温机制,中温机制,高温机制;氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释剂,来控制反应温度和反应速度,获得不同相含量的粉体;NH4Cl在反应中分解,为反应提供了NH3,并与硅粉反应;压坯气孔率控制在30%～70%,否则反应不能进行.SHS法可以制备纯度很高的氮化硅粉体.此法较传统方法合成的氮化硅设备简单,成本低廉,纯度高,填充性好,烧结活性好.
採用自蔓燃高溫閤成方法(self-propagating high-temperature synthesis,簡稱SHS)閤成氮化硅粉體,分析瞭自蔓燃高溫閤成氮化硅過程中氮氣、溫度、稀釋劑與孔隙率等方麵的影響.採用XRD研究相的組成,用SEM觀察粉末的顯微結構.研究結果錶明:隻要控製反應中的工藝參數,就可以採用自蔓燃得到不同相含量的Si3N4粉體;攷慮到燃燒溫度(Tcom),在氮化硅粉體的閤成過程中,涉及到3箇反應機製:低溫機製,中溫機製,高溫機製;氮氣壓力下硅粉的自蔓燃閤成反應,必鬚要引入Si3N4稀釋劑,來控製反應溫度和反應速度,穫得不同相含量的粉體;NH4Cl在反應中分解,為反應提供瞭NH3,併與硅粉反應;壓坯氣孔率控製在30%～70%,否則反應不能進行.SHS法可以製備純度很高的氮化硅粉體.此法較傳統方法閤成的氮化硅設備簡單,成本低廉,純度高,填充性好,燒結活性好.
채용자만연고온합성방법(self-propagating high-temperature synthesis,간칭SHS)합성담화규분체,분석료자만연고온합성담화규과정중담기、온도、희석제여공극솔등방면적영향.채용XRD연구상적조성,용SEM관찰분말적현미결구.연구결과표명:지요공제반응중적공예삼수,취가이채용자만연득도불동상함량적Si3N4분체;고필도연소온도(Tcom),재담화규분체적합성과정중,섭급도3개반응궤제:저온궤제,중온궤제,고온궤제;담기압력하규분적자만연합성반응,필수요인입Si3N4희석제,래공제반응온도화반응속도,획득불동상함량적분체;NH4Cl재반응중분해,위반응제공료NH3,병여규분반응;압배기공솔공제재30%～70%,부칙반응불능진행.SHS법가이제비순도흔고적담화규분체.차법교전통방법합성적담화규설비간단,성본저렴,순도고,전충성호,소결활성호.
