电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2008年
12期
36-38,56
,共4页
李肇基%张波%罗小蓉%胡盛东
李肇基%張波%囉小蓉%鬍盛東
리조기%장파%라소용%호성동
电场%绝缘/介质场增强%高压器件
電場%絕緣/介質場增彊%高壓器件
전장%절연/개질장증강%고압기건
提高纵向耐压是研究绝缘体上的硅(Silicon-on-insnlator,简称SOI)高压器件之瓶颈,经过多年研究,总结出了SOI高压器件介质场增强(Enhanced Dielectric Layer Field,简称ENDIF)理论与技术,通过增强介质埋层电场来提高击穿电压.给出增强介质埋层电场的3项技术,即在埋层上界面引入电荷、降低埋层介电系数、采用超薄顶层硅.基于ENDIF,提出了一系列SOI高压器件结构,即电荷型SOI高压器件、低k和变k埋层SOI高压器件、薄硅层阶梯漂移区SOI高压器件,建立了相应的耐压模型,并研制出大于700V的双面电荷槽SOI横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,简称LDMOS).
提高縱嚮耐壓是研究絕緣體上的硅(Silicon-on-insnlator,簡稱SOI)高壓器件之瓶頸,經過多年研究,總結齣瞭SOI高壓器件介質場增彊(Enhanced Dielectric Layer Field,簡稱ENDIF)理論與技術,通過增彊介質埋層電場來提高擊穿電壓.給齣增彊介質埋層電場的3項技術,即在埋層上界麵引入電荷、降低埋層介電繫數、採用超薄頂層硅.基于ENDIF,提齣瞭一繫列SOI高壓器件結構,即電荷型SOI高壓器件、低k和變k埋層SOI高壓器件、薄硅層階梯漂移區SOI高壓器件,建立瞭相應的耐壓模型,併研製齣大于700V的雙麵電荷槽SOI橫嚮擴散金屬氧化物半導體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,簡稱LDMOS).
제고종향내압시연구절연체상적규(Silicon-on-insnlator,간칭SOI)고압기건지병경,경과다년연구,총결출료SOI고압기건개질장증강(Enhanced Dielectric Layer Field,간칭ENDIF)이론여기술,통과증강개질매층전장래제고격천전압.급출증강개질매층전장적3항기술,즉재매층상계면인입전하、강저매층개전계수、채용초박정층규.기우ENDIF,제출료일계렬SOI고압기건결구,즉전하형SOI고압기건、저k화변k매층SOI고압기건、박규층계제표이구SOI고압기건,건립료상응적내압모형,병연제출대우700V적쌍면전하조SOI횡향확산금속양화물반도체(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,간칭LDMOS).
