中国电子科学研究院学报
中國電子科學研究院學報
중국전자과학연구원학보
JOURNAL OF CHINA ACADEMY OF ELECTRONICS AND INFORMATION TECHNOLOGY
2009年
2期
125-131
,共7页
1/f噪声%能带剪裁%负极化电荷%复合势垒%耦合沟道阱
1/f譟聲%能帶剪裁%負極化電荷%複閤勢壘%耦閤溝道阱
1/f조성%능대전재%부겁화전하%복합세루%우합구도정
从GaN异质结沟道阱中电子状态出发研究了HFET中的噪声产生机理.用沟道阱中子带间散射解释了迁移率起伏引起的1/f噪声.从电子状态转移及不同状态间的跃迁出发解释了各类噪声实验结果.建立了沟道阱能带与HFET噪声性能间的关联.运用正、负极化电荷剪裁了肖特基势垒、欧姆接触及内、外沟道的势垒和主阱及副阱阱宽和势垒高度,降低了栅流、欧姆接触和外沟道串联电阻,强化了沟道阱的量子限制,减弱了子带间散射.
從GaN異質結溝道阱中電子狀態齣髮研究瞭HFET中的譟聲產生機理.用溝道阱中子帶間散射解釋瞭遷移率起伏引起的1/f譟聲.從電子狀態轉移及不同狀態間的躍遷齣髮解釋瞭各類譟聲實驗結果.建立瞭溝道阱能帶與HFET譟聲性能間的關聯.運用正、負極化電荷剪裁瞭肖特基勢壘、歐姆接觸及內、外溝道的勢壘和主阱及副阱阱寬和勢壘高度,降低瞭柵流、歐姆接觸和外溝道串聯電阻,彊化瞭溝道阱的量子限製,減弱瞭子帶間散射.
종GaN이질결구도정중전자상태출발연구료HFET중적조성산생궤리.용구도정중자대간산사해석료천이솔기복인기적1/f조성.종전자상태전이급불동상태간적약천출발해석료각류조성실험결과.건립료구도정능대여HFET조성성능간적관련.운용정、부겁화전하전재료초특기세루、구모접촉급내、외구도적세루화주정급부정정관화세루고도,강저료책류、구모접촉화외구도천련전조,강화료구도정적양자한제,감약료자대간산사.