功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2009年
6期
946-948,952
,共4页
李鸿渐%石瑛%赵世荣%何庆尧%蒋昌忠
李鴻漸%石瑛%趙世榮%何慶堯%蔣昌忠
리홍점%석영%조세영%하경요%장창충
p-GaN%欧姆接触%离子注入%退火
p-GaN%歐姆接觸%離子註入%退火
p-GaN%구모접촉%리자주입%퇴화
首次采用离子注入工艺研究金属电极和p-GaN的欧姆接触特性.Zn为Ⅱ族元素,可以提高p-GaN表面的栽流子浓度,对p-GaN/Ni/Au(5/10nm)界面处进行Zn+注入.经Zn+注入后的样品在空气氛围中快速热退火处理5min,以减少离子注入带来的晶格损伤.研究发现Zn+注入改善了p-GaN/Ni/Au的欧姆接触特性,接触电阻率ρc从10-1Ω·cm2数量级降低到10-3Ω·cm2数量级.研究了不同Zn+注入剂量(5×1015、1×1016、5×1016cm-2)对接触电阻率的影响,在注入剂量为1×1016cm-2、300℃下退火得到最优的接触电阻率为1.45×10-3Ω·cm2.用扫描电子显微镜观察了离子注入前后的表面形貌变化,探讨了接触电阻率改变的内在机制.
首次採用離子註入工藝研究金屬電極和p-GaN的歐姆接觸特性.Zn為Ⅱ族元素,可以提高p-GaN錶麵的栽流子濃度,對p-GaN/Ni/Au(5/10nm)界麵處進行Zn+註入.經Zn+註入後的樣品在空氣氛圍中快速熱退火處理5min,以減少離子註入帶來的晶格損傷.研究髮現Zn+註入改善瞭p-GaN/Ni/Au的歐姆接觸特性,接觸電阻率ρc從10-1Ω·cm2數量級降低到10-3Ω·cm2數量級.研究瞭不同Zn+註入劑量(5×1015、1×1016、5×1016cm-2)對接觸電阻率的影響,在註入劑量為1×1016cm-2、300℃下退火得到最優的接觸電阻率為1.45×10-3Ω·cm2.用掃描電子顯微鏡觀察瞭離子註入前後的錶麵形貌變化,探討瞭接觸電阻率改變的內在機製.
수차채용리자주입공예연구금속전겁화p-GaN적구모접촉특성.Zn위Ⅱ족원소,가이제고p-GaN표면적재류자농도,대p-GaN/Ni/Au(5/10nm)계면처진행Zn+주입.경Zn+주입후적양품재공기분위중쾌속열퇴화처리5min,이감소리자주입대래적정격손상.연구발현Zn+주입개선료p-GaN/Ni/Au적구모접촉특성,접촉전조솔ρc종10-1Ω·cm2수량급강저도10-3Ω·cm2수량급.연구료불동Zn+주입제량(5×1015、1×1016、5×1016cm-2)대접촉전조솔적영향,재주입제량위1×1016cm-2、300℃하퇴화득도최우적접촉전조솔위1.45×10-3Ω·cm2.용소묘전자현미경관찰료리자주입전후적표면형모변화,탐토료접촉전조솔개변적내재궤제.
