电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2009年
3期
522-525
,共4页
亢喆%黎威志%袁凯%蒋亚东
亢喆%黎威誌%袁凱%蔣亞東
항철%려위지%원개%장아동
PECVD%射频%混频%氮化硅%应力
PECVD%射頻%混頻%氮化硅%應力
PECVD%사빈%혼빈%담화규%응력
研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺中射频条件(功率和频率)对氮化硅薄膜应力的影响.对于不同射频条件下薄膜的测试结果表明:低频(LF)时氮化硅薄膜处于压应力,高频(HF)时处于张应力,且相同功率时低频的沉积速率和应力分别为高频时的两倍左右;在此基础上采用不同高低频时间比的混频工艺实现了对氮化硅薄膜应力的调控,且在高低频时间比为5:1时获得了应力仅为10 MVa的极低应力氮化硅薄膜.
研究瞭等離子增彊化學氣相澱積(PECVD)工藝中射頻條件(功率和頻率)對氮化硅薄膜應力的影響.對于不同射頻條件下薄膜的測試結果錶明:低頻(LF)時氮化硅薄膜處于壓應力,高頻(HF)時處于張應力,且相同功率時低頻的沉積速率和應力分彆為高頻時的兩倍左右;在此基礎上採用不同高低頻時間比的混頻工藝實現瞭對氮化硅薄膜應力的調控,且在高低頻時間比為5:1時穫得瞭應力僅為10 MVa的極低應力氮化硅薄膜.
연구료등리자증강화학기상정적(PECVD)공예중사빈조건(공솔화빈솔)대담화규박막응력적영향.대우불동사빈조건하박막적측시결과표명:저빈(LF)시담화규박막처우압응력,고빈(HF)시처우장응력,차상동공솔시저빈적침적속솔화응력분별위고빈시적량배좌우;재차기출상채용불동고저빈시간비적혼빈공예실현료대담화규박막응력적조공,차재고저빈시간비위5:1시획득료응력부위10 MVa적겁저응력담화규박막.
