微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
2期
76-79
,共4页
刘曦麟%张波%张有润%邓小川
劉晞麟%張波%張有潤%鄧小川
류희린%장파%장유윤%산소천
4H-碳化硅%双极型晶体管%结终端技术%击穿电压%数值分析
4H-碳化硅%雙極型晶體管%結終耑技術%擊穿電壓%數值分析
4H-탄화규%쌍겁형정체관%결종단기술%격천전압%수치분석
设计了一种应用于4H-SiC BJT的新型结终端结构.该新型结终端结构通过对基区外围进行刻蚀形成单层刻蚀型外延终端,辅助耐压的P+环位于刻蚀型外延终端的表面,采用离子注入的方式,与基极接触的P+区同时形成.借助半导体数值分析软件SILVACO,对基区外围的刻蚀厚度和p+环的间距进行了优化.仿真分析结果表明,当刻蚀厚度为0.8μm,环间距分别为8,10和9μm时,能获得最高击穿电压.新结构与传统保护环(GR)和传统结终端外延(JTE)相比,BVCEO分别提高了34%和15%.利用该新型终端结构,得到共发射极电流增益β>47、共发射极击穿电压BVCEO为1570 V的4H-SiC BJT器件.
設計瞭一種應用于4H-SiC BJT的新型結終耑結構.該新型結終耑結構通過對基區外圍進行刻蝕形成單層刻蝕型外延終耑,輔助耐壓的P+環位于刻蝕型外延終耑的錶麵,採用離子註入的方式,與基極接觸的P+區同時形成.藉助半導體數值分析軟件SILVACO,對基區外圍的刻蝕厚度和p+環的間距進行瞭優化.倣真分析結果錶明,噹刻蝕厚度為0.8μm,環間距分彆為8,10和9μm時,能穫得最高擊穿電壓.新結構與傳統保護環(GR)和傳統結終耑外延(JTE)相比,BVCEO分彆提高瞭34%和15%.利用該新型終耑結構,得到共髮射極電流增益β>47、共髮射極擊穿電壓BVCEO為1570 V的4H-SiC BJT器件.
설계료일충응용우4H-SiC BJT적신형결종단결구.해신형결종단결구통과대기구외위진행각식형성단층각식형외연종단,보조내압적P+배위우각식형외연종단적표면,채용리자주입적방식,여기겁접촉적P+구동시형성.차조반도체수치분석연건SILVACO,대기구외위적각식후도화p+배적간거진행료우화.방진분석결과표명,당각식후도위0.8μm,배간거분별위8,10화9μm시,능획득최고격천전압.신결구여전통보호배(GR)화전통결종단외연(JTE)상비,BVCEO분별제고료34%화15%.이용해신형종단결구,득도공발사겁전류증익β>47、공발사겁격천전압BVCEO위1570 V적4H-SiC BJT기건.
