光谱学与光谱分析
光譜學與光譜分析
광보학여광보분석
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
2010年
12期
3179-3182
,共4页
郭庆林%崔永亮%陈剑辉%张金平%怀素芳%刘保亭%陈金忠
郭慶林%崔永亮%陳劍輝%張金平%懷素芳%劉保亭%陳金忠
곽경림%최영량%진검휘%장금평%부소방%류보정%진금충
射频磁控溅射%等离子体发射光谱%硅基薄膜
射頻磁控濺射%等離子體髮射光譜%硅基薄膜
사빈자공천사%등리자체발사광보%규기박막
采用磁控溅射仪、Oami-λ300系列光栅光谱仪、CCD数据采集系统和光纤导光系统等构成的等离子体光谱分析系统,采集了以Cu和Al为靶材、氩气为工作气体,射频磁控溅射法沉积硅基薄膜时的等离子体发射光谱.以CuⅠ 324.754 nm,CuⅠ 327.396 nm,CuⅠ 333.784 nm,CuⅠ353.039 nm,AlⅠ 394.403 nm和AlⅠ 396.153 nm为分析线,研究了Cu和Al等离子体发射光谱强度随溅射时间、溅射功率、靶基距和气体压强等实验参数的变化.并与射频磁控溅射沉积薄膜实验参数的选择进行对比,表明发射光谱法对射频磁控溅射薄膜生长条件的优化有着很好的指导作用.
採用磁控濺射儀、Oami-λ300繫列光柵光譜儀、CCD數據採集繫統和光纖導光繫統等構成的等離子體光譜分析繫統,採集瞭以Cu和Al為靶材、氬氣為工作氣體,射頻磁控濺射法沉積硅基薄膜時的等離子體髮射光譜.以CuⅠ 324.754 nm,CuⅠ 327.396 nm,CuⅠ 333.784 nm,CuⅠ353.039 nm,AlⅠ 394.403 nm和AlⅠ 396.153 nm為分析線,研究瞭Cu和Al等離子體髮射光譜彊度隨濺射時間、濺射功率、靶基距和氣體壓彊等實驗參數的變化.併與射頻磁控濺射沉積薄膜實驗參數的選擇進行對比,錶明髮射光譜法對射頻磁控濺射薄膜生長條件的優化有著很好的指導作用.
채용자공천사의、Oami-λ300계렬광책광보의、CCD수거채집계통화광섬도광계통등구성적등리자체광보분석계통,채집료이Cu화Al위파재、아기위공작기체,사빈자공천사법침적규기박막시적등리자체발사광보.이CuⅠ 324.754 nm,CuⅠ 327.396 nm,CuⅠ 333.784 nm,CuⅠ353.039 nm,AlⅠ 394.403 nm화AlⅠ 396.153 nm위분석선,연구료Cu화Al등리자체발사광보강도수천사시간、천사공솔、파기거화기체압강등실험삼수적변화.병여사빈자공천사침적박막실험삼수적선택진행대비,표명발사광보법대사빈자공천사박막생장조건적우화유착흔호적지도작용.
