传感器与微系统
傳感器與微繫統
전감기여미계통
TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGY
2011年
5期
5-7
,共3页
离子敏场效应晶体管%HSPICE模型%静态仿真
離子敏場效應晶體管%HSPICE模型%靜態倣真
리자민장효응정체관%HSPICE모형%정태방진
通过对ISFET敏感机理的分析,根据表面基模型,建立了悬浮栅结构ISFET器件的HSPICE行为模型,并对其静态输出特性,转移特性,以及pH值与界面势的关系进行了仿真,仿真结果表明:该模型与ISFET的理论和实验数据吻合较好.为ISFET/REFET差分结构集成传感器芯片设计提供了重要的理论参考价值.
通過對ISFET敏感機理的分析,根據錶麵基模型,建立瞭懸浮柵結構ISFET器件的HSPICE行為模型,併對其靜態輸齣特性,轉移特性,以及pH值與界麵勢的關繫進行瞭倣真,倣真結果錶明:該模型與ISFET的理論和實驗數據吻閤較好.為ISFET/REFET差分結構集成傳感器芯片設計提供瞭重要的理論參攷價值.
통과대ISFET민감궤리적분석,근거표면기모형,건립료현부책결구ISFET기건적HSPICE행위모형,병대기정태수출특성,전이특성,이급pH치여계면세적관계진행료방진,방진결과표명:해모형여ISFET적이론화실험수거문합교호.위ISFET/REFET차분결구집성전감기심편설계제공료중요적이론삼고개치.
