微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
3期
199-202
,共4页
潘静%杨瑞霞%骆新江%李晓岚%杨帆%孙聂枫
潘靜%楊瑞霞%駱新江%李曉嵐%楊帆%孫聶楓
반정%양서하%락신강%리효람%양범%손섭풍
磷化铟(InP)%晶体%位错密度((EPD)%LEC法%热应力
燐化銦(InP)%晶體%位錯密度((EPD)%LEC法%熱應力
린화인(InP)%정체%위착밀도((EPD)%LEC법%열응력
采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的InP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响.从数值看,一般掺S的材料位错密度较低,随着掺杂浓度的增加位错密度明显降低,晶片的均匀性也越好.掺Fe的材料位错密度一般,但随着掺杂量的增大位错密度升高,晶片的位错分布也不均匀.非掺杂材料的位错一般较多,但均匀性较好.通过工艺改进可以明显降低位错,为今后进一步开展晶体完整性研究、改进工艺、提高单晶质量打下了良好的基础.
採用國際通用的方法,測定瞭不同類型的用高壓LEC法生長的InP單晶樣品的整片位錯分佈,直觀顯示位錯密度在晶片上的分佈情況,分析瞭EPD分佈結果和原因,說明單晶生長工藝和摻雜劑等因素對其產生影響.從數值看,一般摻S的材料位錯密度較低,隨著摻雜濃度的增加位錯密度明顯降低,晶片的均勻性也越好.摻Fe的材料位錯密度一般,但隨著摻雜量的增大位錯密度升高,晶片的位錯分佈也不均勻.非摻雜材料的位錯一般較多,但均勻性較好.通過工藝改進可以明顯降低位錯,為今後進一步開展晶體完整性研究、改進工藝、提高單晶質量打下瞭良好的基礎.
채용국제통용적방법,측정료불동류형적용고압LEC법생장적InP단정양품적정편위착분포,직관현시위착밀도재정편상적분포정황,분석료EPD분포결과화원인,설명단정생장공예화참잡제등인소대기산생영향.종수치간,일반참S적재료위착밀도교저,수착참잡농도적증가위착밀도명현강저,정편적균균성야월호.참Fe적재료위착밀도일반,단수착참잡량적증대위착밀도승고,정편적위착분포야불균균.비참잡재료적위착일반교다,단균균성교호.통과공예개진가이명현강저위착,위금후진일보개전정체완정성연구、개진공예、제고단정질량타하료량호적기출.
