光电工程
光電工程
광전공정
OPTO-ELECTRONIC ENGINEERING
2011年
12期
90-93
,共4页
罗海瀚%刘定权%尹欣%张莉
囉海瀚%劉定權%尹訢%張莉
라해한%류정권%윤흔%장리
光学薄膜%聚集密度%锗%沉积温度
光學薄膜%聚集密度%鍺%沉積溫度
광학박막%취집밀도%타%침적온도
锗(Ge)薄膜是中长波红外区最常用的光学薄膜之一,高的聚集密度对于提升光谱稳定性和光学薄膜元件的品质非常重要.选用纯度为99.99％的Ge材料,在5× 10-4 Pa左右的真空压力下用电子束蒸发沉积,石英晶振仪将沉积速率控制在0.8～1.0 nm/s范围,宝石片基片上的膜层厚度约为0.8～1.0μm,在不同沉积温度下制备样品.用傅里叶红外光谱仪测量吸潮前后薄膜的光谱曲线,根据波长漂移理论,计算出薄膜的聚集密度.结果表明:聚集密度随沉积温度的升高而增加,从常温沉积的约0.74上升到250℃沉积的0.99以上.
鍺(Ge)薄膜是中長波紅外區最常用的光學薄膜之一,高的聚集密度對于提升光譜穩定性和光學薄膜元件的品質非常重要.選用純度為99.99％的Ge材料,在5× 10-4 Pa左右的真空壓力下用電子束蒸髮沉積,石英晶振儀將沉積速率控製在0.8～1.0 nm/s範圍,寶石片基片上的膜層厚度約為0.8～1.0μm,在不同沉積溫度下製備樣品.用傅裏葉紅外光譜儀測量吸潮前後薄膜的光譜麯線,根據波長漂移理論,計算齣薄膜的聚集密度.結果錶明:聚集密度隨沉積溫度的升高而增加,從常溫沉積的約0.74上升到250℃沉積的0.99以上.
타(Ge)박막시중장파홍외구최상용적광학박막지일,고적취집밀도대우제승광보은정성화광학박막원건적품질비상중요.선용순도위99.99％적Ge재료,재5× 10-4 Pa좌우적진공압력하용전자속증발침적,석영정진의장침적속솔공제재0.8～1.0 nm/s범위,보석편기편상적막층후도약위0.8～1.0μm,재불동침적온도하제비양품.용부리협홍외광보의측량흡조전후박막적광보곡선,근거파장표이이론,계산출박막적취집밀도.결과표명:취집밀도수침적온도적승고이증가,종상온침적적약0.74상승도250℃침적적0.99이상.
