微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
10期
623-629,673
,共8页
杨法明%杨发顺%张锗源%李绪诚%张荣芬%邓朝勇
楊法明%楊髮順%張鍺源%李緒誠%張榮芬%鄧朝勇
양법명%양발순%장타원%리서성%장영분%산조용
功率器件%垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)%击穿电压%导通电阻%SiC材料
功率器件%垂直雙擴散功率場效應晶體管(VDMOS)%擊穿電壓%導通電阻%SiC材料
공솔기건%수직쌍확산공솔장효응정체관(VDMOS)%격천전압%도통전조%SiC재료
简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史.针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题.对不同器件结构的优缺点进行了比较分析.对一些新型衍生结构(包括侧面多晶硅栅VDMOS、边氧沟道VDMOS和浮岛VDMOS)的特点进行了分析,叙述了新型SiC材料在VDMOS器件中应用的最新进展,并指出了存在的问题和未来发展趋势.
簡要介紹瞭垂直雙擴散功率場效應晶體管(VDMOS)的研究現狀和髮展歷史.針對功率VDMOS器件擊穿電壓和導通電阻之間存在的矛盾,重點介紹瞭幾種新型器件結構(包括溝槽柵VDMOS、超結VDMOS、半超結VDMOS)的工作原理和結構特點,以及其在製造工藝中存在的問題.對不同器件結構的優缺點進行瞭比較分析.對一些新型衍生結構(包括側麵多晶硅柵VDMOS、邊氧溝道VDMOS和浮島VDMOS)的特點進行瞭分析,敘述瞭新型SiC材料在VDMOS器件中應用的最新進展,併指齣瞭存在的問題和未來髮展趨勢.
간요개소료수직쌍확산공솔장효응정체관(VDMOS)적연구현상화발전역사.침대공솔VDMOS기건격천전압화도통전조지간존재적모순,중점개소료궤충신형기건결구(포괄구조책VDMOS、초결VDMOS、반초결VDMOS)적공작원리화결구특점,이급기재제조공예중존재적문제.대불동기건결구적우결점진행료비교분석.대일사신형연생결구(포괄측면다정규책VDMOS、변양구도VDMOS화부도VDMOS)적특점진행료분석,서술료신형SiC재료재VDMOS기건중응용적최신진전,병지출료존재적문제화미래발전추세.
