太阳能学报
太暘能學報
태양능학보
ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
1999年
3期
274-278
,共5页
磁控反应溅射%选择性吸收%太阳吸收比%发射率%干涉作用
磁控反應濺射%選擇性吸收%太暘吸收比%髮射率%榦涉作用
자공반응천사%선택성흡수%태양흡수비%발사솔%간섭작용
以铜和镍铬合金为靶材,用磁控反应溅射法制备具有干涉效应的Ni-Cr选择性吸收薄膜,用AES、TEM研究薄膜的结构和组成.结果表明,薄膜由10nm大小的颗粒组成,太阳吸收比αs＝0.93,发射率εn＝0.063,具有良好的选择性.
以銅和鎳鉻閤金為靶材,用磁控反應濺射法製備具有榦涉效應的Ni-Cr選擇性吸收薄膜,用AES、TEM研究薄膜的結構和組成.結果錶明,薄膜由10nm大小的顆粒組成,太暘吸收比αs＝0.93,髮射率εn＝0.063,具有良好的選擇性.
이동화얼락합금위파재,용자공반응천사법제비구유간섭효응적Ni-Cr선택성흡수박막,용AES、TEM연구박막적결구화조성.결과표명,박막유10nm대소적과립조성,태양흡수비αs＝0.93,발사솔εn＝0.063,구유량호적선택성.
