半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
7期
858-862
,共5页
安俊明%郜定山%李健%李建光%王红杰%胡雄伟
安俊明%郜定山%李健%李建光%王紅傑%鬍雄偉
안준명%고정산%리건%리건광%왕홍걸%호웅위
SiON薄膜%Si基SiO2波导%应力%双折射%阵列波导光栅%偏振补偿
SiON薄膜%Si基SiO2波導%應力%雙摺射%陣列波導光柵%偏振補償
SiON박막%Si기SiO2파도%응력%쌍절사%진렬파도광책%편진보상
采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率SiON薄膜对Si基SiO2阵列波导光栅中波导应力双折射的影响.分析结果表明在芯区上或下表面沉积SiON薄膜可以明显减小Si基SiO2阵列波导光栅(AWG)中波导的应力双折射,但这两种补偿方法容易使模场偏移中心位置,不利于波导与光纤的耦合.理想的补偿方法是在芯区上下同时补偿,可减小模场偏移,并用该方法设计了偏振无关的16通道AWG.
採用全矢量交替方嚮隱含迭代方法繫統分析瞭高摺射率SiON薄膜對Si基SiO2陣列波導光柵中波導應力雙摺射的影響.分析結果錶明在芯區上或下錶麵沉積SiON薄膜可以明顯減小Si基SiO2陣列波導光柵(AWG)中波導的應力雙摺射,但這兩種補償方法容易使模場偏移中心位置,不利于波導與光纖的耦閤.理想的補償方法是在芯區上下同時補償,可減小模場偏移,併用該方法設計瞭偏振無關的16通道AWG.
채용전시량교체방향은함질대방법계통분석료고절사솔SiON박막대Si기SiO2진렬파도광책중파도응력쌍절사적영향.분석결과표명재심구상혹하표면침적SiON박막가이명현감소Si기SiO2진렬파도광책(AWG)중파도적응력쌍절사,단저량충보상방법용역사모장편이중심위치,불리우파도여광섬적우합.이상적보상방법시재심구상하동시보상,가감소모장편이,병용해방법설계료편진무관적16통도AWG.
