强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2005年
5期
756-760
,共5页
单片机系统芯片%中子%γ射线%电离辐照效应
單片機繫統芯片%中子%γ射線%電離輻照效應
단편궤계통심편%중자%γ사선%전리복조효응
研究了反应堆中子和γ射线综合辐照环境下CMOS工艺大规模集成电路的电离辐照效应.通过对80C196KC20和PSD501B1两种不同芯片在该环境下开展综合辐照试验,发现总的静态电流增长不明显.对试验结果综合分析得出:在反应堆的综合辐照环境下,中子电离效应较弱,并且由于中子位移效应引起载流子迁移率降低和载流子浓度降低,使得总的静态电流下降,从而抵消中子和γ射线综合电离导致的静态电流增长.
研究瞭反應堆中子和γ射線綜閤輻照環境下CMOS工藝大規模集成電路的電離輻照效應.通過對80C196KC20和PSD501B1兩種不同芯片在該環境下開展綜閤輻照試驗,髮現總的靜態電流增長不明顯.對試驗結果綜閤分析得齣:在反應堆的綜閤輻照環境下,中子電離效應較弱,併且由于中子位移效應引起載流子遷移率降低和載流子濃度降低,使得總的靜態電流下降,從而牴消中子和γ射線綜閤電離導緻的靜態電流增長.
연구료반응퇴중자화γ사선종합복조배경하CMOS공예대규모집성전로적전리복조효응.통과대80C196KC20화PSD501B1량충불동심편재해배경하개전종합복조시험,발현총적정태전류증장불명현.대시험결과종합분석득출:재반응퇴적종합복조배경하,중자전리효응교약,병차유우중자위이효응인기재류자천이솔강저화재류자농도강저,사득총적정태전류하강,종이저소중자화γ사선종합전리도치적정태전류증장.
