电子产品可靠性与环境试验
電子產品可靠性與環境試驗
전자산품가고성여배경시험
ELECTRONIC PRODUCT RELIABILITY AND ENVIRONMENTAL TESTING
2006年
1期
42-45
,共4页
林晓玲%费庆宇%章晓文%施明哲
林曉玲%費慶宇%章曉文%施明哲
림효령%비경우%장효문%시명철
超大规模集成电路%失效分析%多层金属化%反应离子腐蚀%钝化层
超大規模集成電路%失效分析%多層金屬化%反應離子腐蝕%鈍化層
초대규모집성전로%실효분석%다층금속화%반응리자부식%둔화층
介绍了多层金属化结构VLSI芯片的解剖技术--反应离子腐蚀去钝化层法,包括其原理、与其它芯片解剖技术的比较以及各种工艺参数对该技术的影响,并列举了几个实用例子.反应离子腐蚀法实现了芯片表面和内部结构的可观察性和可探测性,降低了失效分析时样品制备的风险,是VLSI失效分析过程的重要步骤.
介紹瞭多層金屬化結構VLSI芯片的解剖技術--反應離子腐蝕去鈍化層法,包括其原理、與其它芯片解剖技術的比較以及各種工藝參數對該技術的影響,併列舉瞭幾箇實用例子.反應離子腐蝕法實現瞭芯片錶麵和內部結構的可觀察性和可探測性,降低瞭失效分析時樣品製備的風險,是VLSI失效分析過程的重要步驟.
개소료다층금속화결구VLSI심편적해부기술--반응리자부식거둔화층법,포괄기원리、여기타심편해부기술적비교이급각충공예삼수대해기술적영향,병열거료궤개실용례자.반응리자부식법실현료심편표면화내부결구적가관찰성화가탐측성,강저료실효분석시양품제비적풍험,시VLSI실효분석과정적중요보취.
