无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2006年
4期
1005-1010
,共6页
孙柏%邹崇文%刘忠良%徐彭寿%张国斌
孫柏%鄒崇文%劉忠良%徐彭壽%張國斌
손백%추숭문%류충량%서팽수%장국빈
ZnO%脉冲激光淀积%光致发光%同步辐射
ZnO%脈遲激光澱積%光緻髮光%同步輻射
ZnO%맥충격광정적%광치발광%동보복사
在不同的衬底温度下,通过脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜.ZnO薄膜的结构和表面形貌通过X射线衍射和原子力显微镜表征.同时以He-Cd激光和同步辐射作为激发源来测试样品的发光特性.实验结果表明,在衬底温度为500℃时生长的ZnO薄膜具有非常好的晶体质量,并且表现出很强的紫外发射.在用同步辐射为激发源的低温(18K)光致发光谱中,还观察到了一个位于430nm处的紫光发射,我们认为这个紫光发射与存在于晶粒间界的界面势阱所引起的缺陷态有关,这个势阱可能起源于Zn填隙(Zni).
在不同的襯底溫度下,通過脈遲激光澱積的方法在Si襯底上生長齣c軸高度取嚮的ZnO薄膜.ZnO薄膜的結構和錶麵形貌通過X射線衍射和原子力顯微鏡錶徵.同時以He-Cd激光和同步輻射作為激髮源來測試樣品的髮光特性.實驗結果錶明,在襯底溫度為500℃時生長的ZnO薄膜具有非常好的晶體質量,併且錶現齣很彊的紫外髮射.在用同步輻射為激髮源的低溫(18K)光緻髮光譜中,還觀察到瞭一箇位于430nm處的紫光髮射,我們認為這箇紫光髮射與存在于晶粒間界的界麵勢阱所引起的缺陷態有關,這箇勢阱可能起源于Zn填隙(Zni).
재불동적츤저온도하,통과맥충격광정적적방법재Si츤저상생장출c축고도취향적ZnO박막.ZnO박막적결구화표면형모통과X사선연사화원자력현미경표정.동시이He-Cd격광화동보복사작위격발원래측시양품적발광특성.실험결과표명,재츤저온도위500℃시생장적ZnO박막구유비상호적정체질량,병차표현출흔강적자외발사.재용동보복사위격발원적저온(18K)광치발광보중,환관찰도료일개위우430nm처적자광발사,아문인위저개자광발사여존재우정립간계적계면세정소인기적결함태유관,저개세정가능기원우Zn전극(Zni).
