电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
1期
33-36
,共4页
李瑞贞%李多力%杜寰%海潮和%韩郑生
李瑞貞%李多力%杜寰%海潮和%韓鄭生
리서정%리다력%두환%해조화%한정생
SOI%参数提取%阈值电压%遗传算法
SOI%參數提取%閾值電壓%遺傳算法
SOI%삼수제취%역치전압%유전산법
阈值电压是MOSFET最重要的参数,阈值电压模型是MOSFET模型中最重要的部分.目前模型参数的提取主要通过商业软件来完成,商业软件由于价格昂贵以及内部机理的复杂性限制了它们的应用.本文提出了遗传算法和局部优化相结合来提取BSIM SOI阈值电压模型参数的方法,该方法简单易用,且具有较高的精确度,适合推广使用.
閾值電壓是MOSFET最重要的參數,閾值電壓模型是MOSFET模型中最重要的部分.目前模型參數的提取主要通過商業軟件來完成,商業軟件由于價格昂貴以及內部機理的複雜性限製瞭它們的應用.本文提齣瞭遺傳算法和跼部優化相結閤來提取BSIM SOI閾值電壓模型參數的方法,該方法簡單易用,且具有較高的精確度,適閤推廣使用.
역치전압시MOSFET최중요적삼수,역치전압모형시MOSFET모형중최중요적부분.목전모형삼수적제취주요통과상업연건래완성,상업연건유우개격앙귀이급내부궤리적복잡성한제료타문적응용.본문제출료유전산법화국부우화상결합래제취BSIM SOI역치전압모형삼수적방법,해방법간단역용,차구유교고적정학도,괄합추엄사용.
