Ga和Cu/In衬底上电沉积金属Ga
Ga화Cu/In츤저상전침적금속Ga
Electrodepositied Gallium on Gallium and Copper/Indium Substrates
  • 万方数据
    物理化学学报 물이화학학보
    ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
    2012年 8期 1913-1922 ,共10页

    张超%敖建平%王利%姜韬%孙国忠%何青%周志强%孙云

    장초%오건평%왕리%강도%손국충%하청%주지강%손운

    电化学沉积%Cu(In1-xGax)Se2%循环伏安法%金属预置层%太阳电池 電化學沉積%Cu(In1-xGax)Se2%循環伏安法%金屬預置層%太暘電池
    전화학침적%Cu(In1-xGax)Se2%순배복안법%금속예치층%태양전지
    在酸性水溶液中,分别在金属Ga和Cu/In衬底上进行了Ga电沉积的研究.用循环伏安法研究了导电盐、pH值对电沉积Ga的影响.系统研究了Ga的沉积过程,发现Ga会逐渐向薄膜内部扩散,在Cu/In界面上与Culn合金反应生成CuGa2合金.针对Cu/In薄膜和Ga薄膜是活泼金属的特点,在溶液中加入三乙醇胺有效地保护了Cu/In薄膜和Ga金属薄膜不被氧化,并且提高了Ga沉积的电流效率.在Cu/In薄膜上制备出了均匀光亮的金属Ga薄膜.对电沉积出Cu-In-Ga预置层进行了硒化处理,得到了质量较好的Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜,并制备了太阳电池.电池效率达到了9.42％.
    재산성수용액중,분별재금속Ga화Cu/In츤저상진행료Ga전침적적연구.용순배복안법연구료도전염、pH치대전침적Ga적영향.계통연구료Ga적침적과정,발현Ga회축점향박막내부확산,재Cu/In계면상여Culn합금반응생성CuGa2합금.침대Cu/In박막화Ga박막시활발금속적특점,재용액중가입삼을순알유효지보호료Cu/In박막화Ga금속박막불피양화,병차제고료Ga침적적전류효솔.재Cu/In박막상제비출료균균광량적금속Ga박막.대전침적출Cu-In-Ga예치층진행료서화처리,득도료질량교호적Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)박막,병제비료태양전지.전지효솔체도료9.42％.
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